[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
申请号: | 202080039628.6 | 申请日: | 2020-03-30 |
公开(公告)号: | CN113892167A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 石井弘晃;高冈诚 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李文屿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
1.衬底处理方法,其包括:
衬底旋转工序,使由衬底保持单元保持的衬底绕通过所述衬底的中央部的旋转轴线旋转;
外周部处理工序,其与所述衬底旋转工序并行,相对于设置于所述衬底的表面外周部的着液位置,从配置于所述衬底的旋转半径方向的内侧的排出口向所述着液位置排出处理液,使用处理液对所述表面外周部进行处理;
高度应变获取工序,获取所述衬底的所述表面外周部的高度应变;以及
内周位置调整工序,一边将从所述排出口排出的处理液的排出方向保持恒定,一边基于通过所述高度应变获取工序获取到的高度应变而对被供给到所述着液位置的处理液的内周位置进行调整。
2.根据权利要求1所述的衬底处理方法,其中,
所述内周位置调整工序包括一边将所述排出方向保持恒定、一边使所述着液位置在沿着所述衬底的表面的方向且与该着液位置处的切线方向相交叉的移动方向上移动的工序。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理方法,其中,
所述内周位置调整工序包括一边将所述排出方向保持恒定一边变更从所述排出口排出的处理液的流量的工序。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的衬底处理方法,其中,
所述内周位置调整工序包括一边将所述排出方向保持恒定、一边变更从所述衬底的旋转半径方向的内侧向处于所述表面外周部的处理液喷射的气体的流量的工序。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的衬底处理方法,其中,
所述高度应变获取工序包括获取在所述衬底的圆周方向上分离的、所述表面外周部内的多个位置的各处的高度应变的平均作为高度应变的工序。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的衬底处理方法,其中,
所述衬底处理方法进一步包括与所述衬底旋转工序和所述外周部处理工序并行地对所述衬底中的至少外周部进行加热的衬底加热工序,
所述高度应变获取工序包括获取由与所述衬底加热工序的进行相伴的所述衬底的翘曲所引起的高度应变的工序。
7.根据权利要求6所述的衬底处理方法,其中,
所述衬底加热工序包括将加热器配置于能从所述衬底的背面侧至少利用辐射热对该衬底进行加热的加热位置的加热器配置工序。
8.根据权利要求6或7所述的衬底处理方法,其中,
所述高度应变获取工序包括与所述衬底加热工序并行地对所述表面外周部的高度应变进行监视的高度应变监视工序,
所述内周位置调整工序包括与所述衬底旋转工序和所述外周部处理工序并行地、基于所述高度应变监视工序中的高度应变的监视结果对所述内周位置进行调整的工序。
9.根据权利要求6或7所述的衬底处理方法,其中,
所述高度应变获取工序包括基于从所述衬底加热工序的开始起的经过时间而对所述表面外周部的高度应变进行运算的加热高度应变运算工序,
所述内周位置调整工序包括基于通过所述加热高度应变运算工序求出的高度应变对所述内周位置进行调整的工序。
10.根据权利要求9所述的衬底处理方法,其中,
所述加热高度应变运算工序包括参照从所述衬底加热工序的开始起的经过时间与所述表面外周部的高度应变的对应关系来求出高度应变的工序。
11.根据权利要求10所述的衬底处理方法,其中,
所述对应关系是通过使用了执行所述衬底处理方法的衬底处理装置的实验而求出的。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的衬底处理方法,其中,
所述衬底保持单元包括不与所述衬底的外周部接触而与所述衬底的中央部接触地对所述衬底进行保持的单元。
13.衬底处理装置,其包括:
衬底保持单元,其对衬底进行保持;
衬底旋转单元,其使由所述衬底保持单元保持的所述衬底绕通过所述衬底的中央部的旋转轴线旋转;
处理液喷嘴,其具有排出口,相对于由所述衬底保持单元保持的所述衬底的表面外周部,所述排出口配置于所述衬底的旋转半径方向的内侧;
处理液供给单元,其向所述处理液喷嘴供给处理液;
高度应变获取单元,其获取所述衬底的所述表面外周部的高度应变;
内周位置调整单元,其对被供给到设置于所述衬底的表面外周部的着液位置的处理液的内周位置进行调整;以及
控制装置,其对所述衬底旋转单元、所述处理液供给单元、所述高度应变获取单元以及所述内周位置调整单元进行控制,
所述控制装置执行:
衬底旋转工序,通过所述衬底旋转单元使由所述衬底保持单元保持的所述衬底绕所述旋转轴线旋转;外周部处理工序,其与所述衬底旋转工序并行,从所述排出口向所述着液位置排出处理液,使用处理液对所述表面外周部进行处理;高度应变获取工序,通过所述高度应变获取单元获取所述衬底的所述表面外周部的高度应变;以及内周位置调整工序,一边将从所述排出口排出的处理液的排出方向保持恒定,一边通过所述内周位置调整单元基于通过所述高度应变获取工序获取到的高度应变,对被供给到所述着液位置的处理液的内周位置进行调整。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造