[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置

说明书

使中央部由旋转卡盘5支承的衬底W绕旋转轴线A1旋转。在外周部蚀刻工序中，从处理液喷嘴6的排出口6a向设置于旋转的衬底W的上表面外周部102的着液位置105排出蚀刻液。在外周部蚀刻工序中，监视上表面外周部102的高度(上表面外周部102的高度应变HD)，基于求出的上表面外周部102的高度应变HD使着液位置105在径向RD上移动(高度应变监视工序(S6)着液位置移动工序(S7))。由此，由被供给到着液位置105的蚀刻液形成的液膜LF的内周位置LFa被调整为接近期望位置。

技术领域

本申请主张基于2019年5月29日提出的日本专利申请2019-100238号的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。

本发明涉及衬底处理方法及衬底处理装置。成为处理对象的衬底的例子包括半导体晶片、液晶显示装置用衬底，有机EL(Electroluminescence)显示装置等FPD(Flat PanelDisplay)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、光磁盘用衬底、光掩模用衬底、陶瓷衬底、太阳能电池用衬底等。

背景技术

在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中，对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃衬底等衬底的外周部进行使用蚀刻液的处理(外周部蚀刻)。逐片对衬底进行处理的单片式的衬底处理装置，例如具备水平地保持衬底并使其旋转的旋转卡盘、和向被保持于旋转卡盘的衬底的上表面外周部排出蚀刻液的处理液喷嘴(参照下述专利文献1)。

有时在被支承于旋转卡盘的衬底会产生翘曲。当衬底产生翘曲时，衬底的外周部相对于衬底的中央部(在该情况下为衬底的中心附近)在上下方向上位移。换言之，衬底的外周部的高度位置相对于衬底的中央在上下方向上位移。如果衬底的表面外周部的高度位置偏离所期望的高度位置，则衬底的表面外周部处的蚀刻宽度恐会偏离所期望的宽度。

在下述专利文献1中记载有：为了使实际的蚀刻宽度与期望宽度一致，根据衬底的上表面外周部的各部的高度应变的大小，变更从排出口排出的处理液的排出方向(设置于衬底的上表面外周部的着液位置处的入射角度)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开20018-46105号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，着液位置处的入射角度被设定为能够将外周部蚀刻后的微粒性能保持为最佳的角度。因此，若如专利文献1那样，对衬底的表面外周部的各部分的高度应变的大小进行检测，并根据检测出的各部分的高度变动来变更着液位置处的入射角度，则虽能保持蚀刻宽度(即，处理宽度)的均匀性，但另一方面，恐无法将外周部处理(外周部蚀刻)后的微粒性能保持为最佳。

本发明是在这样的背景下完成的，提供能够精密地对衬底的表面外周部处的处理宽度进行控制、且能够抑制或防止外周部处理后的向衬底的表面外周部的微粒附着的衬底处理方法和衬底处理装置。

用于解决课题的手段

本发明的一实施方式提供一种衬底处理方法，其包括：衬底旋转工序，使由衬底保持单元保持的衬底绕通过所述衬底的中央部的旋转轴线旋转；外周部处理工序，其与所述衬底旋转工序并行，相对于设置于所述衬底的表面外周部的着液位置，从配置于所述衬底的旋转半径方向的内侧的排出口，向所述着液位置排出处理液，使用处理液对所述表面外周部进行处理；高度应变获取工序，获取所述衬底的所述表面外周部的高度应变；以及内周位置调整工序，一边将从所述排出口排出的处理液的排出方向保持恒定，一边基于通过所述高度应变获取工序获取到的高度应变而对被供给到所述着液位置的处理液的内周位置进行调整。

根据该方法，基于获取到的表面外周部的高度应变，对被供给到着液位置的处理液(以下，有时仅称为“着液处理液”)的内周位置进行调整。因此，能够将着液处理液的内周位置调整为与衬底的翘曲状况相应的位置。通过该调整，能够精密地控制由着液处理液形成的液膜的宽度(以下仅称为“液宽”)。