[发明专利]成膜装置在审

专利信息
申请号: 202080040665.9 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN113924384A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 小野大祐 申请(专利权)人: 芝浦机械电子装置株式会社
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/50;C23C14/34
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 王蕊;臧建明
地址: 日本神奈川县横浜市荣区笠间二*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置
【权利要求书】:

1.一种成膜装置,是在工件上形成膜的成膜装置,其特征在于包括:

腔室,能够使内部变成真空;

搬送部,设置于所述腔室内,具有在圆周的搬送路径上循环搬送所述工件的旋转台;

成膜处理部,具有包含构成所述膜的材料的靶、及将被导入所述靶与所述旋转台之间的溅射气体等离子体化的等离子体产生器,利用等离子体对所述靶进行溅射而在所述工件上形成膜;

膜处理部,具有朝所述腔室的内部空间突出且朝所述搬送路径开口的筒状体、以堵塞所述筒状体的开口的方式设置的窗构件、朝形成于所述旋转台与所述筒状体之间的处理空间导入第一工艺气体的第一工艺气体导入部、经由所述窗构件而使所述处理空间内产生电场的天线、及对所述天线施加高频电压的电源,将所述第一工艺气体等离子体化来使所述处理空间内产生感应耦合等离子体,而使所述膜进行化学反应;以及

离子照射部,具有在一端设置有开口部且以所述开口部朝向所述搬送路径的方式安装于所述腔室的筒形电极、朝所述筒形电极的内部导入第二工艺气体的第二工艺气体导入部、及对所述筒形电极施加高频电压的电源,对所述膜照射将所述第二工艺气体等离子体化所生成的离子;

所述搬送部以所述工件穿过所述成膜处理部、所述膜处理部、及所述离子照射部的方式循环搬送所述工件,

所述离子照射部对所述工件上的形成途中的所述膜照射离子。

2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于

所述搬送部以所述工件穿过所述膜处理部后,穿过所述离子照射部的方式进行搬送。

3.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于

所述搬送部以所述工件穿过所述离子照射部后,穿过所述膜处理部的方式进行搬送。

4.根据权利要求2或3所述的成膜装置,其特征在于

所述搬送部以能够进行两个方向的所述循环搬送的方式构成,

所述膜处理部与所述离子照射部邻接设置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的成膜装置,其特征在于

所述第一工艺气体含有氧气或氮气。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的成膜装置,其特征在于包括:

多个所述成膜处理部,

所述多个所述成膜处理部使组成不同的所述膜交替地层叠而形成于所述工件上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置,其特征在于

所述第二工艺气体含有氩气。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的成膜装置,其特征在于

所述第二工艺气体含有氧气或氮气、或者含有氩气与氧气或氮气。

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