[发明专利]晶体管的集成偶极流

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

源极区、漏极区、以及分隔所述源极区和所述漏极区的沟道；和

偶极区，所述偶极区在所述沟道的顶表面上，所述偶极区包括层间电介质、高K介电材料、和偶极层。

2.如权利要求1所述的电子装置，其中所述沟道包括n型材料，并且所述偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、或氮化钛镁(TiMgN)。

3.如权利要求1所述的电子装置，其中所述沟道包括p型材料，并且所述偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、氮化钛铪(TiHfN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。

4.如权利要求1所述的电子装置，进一步包括位于所述偶极区上的栅极。

5.如权利要求1所述的电子装置，其中所述源极区和所述漏极区独立地包括以下一者或多者：铜(Cu)、钴(Co)、钨(W)、钛(Ti)、钼(Mo)、镍(Ni)、钌(Ru)、银(Ag)、金(Au)、铱(Ir)、铂(Pt)、磷(P)、锗(Ge)、硅(Si)、铝(Al)、或锆(Zr)。

6.如权利要求1所述的电子装置，其中所述层间电介质包括低K电介质。

7.如权利要求6所述的电子装置，其中所述低K电介质选自以下一者或多者：硅、氧化硅、掺杂硅、掺杂氧化硅、或旋涂电介质。

8.如权利要求1所述的电子装置，其中所述高K介电材料包括以下一者或多者：氧化铪或镧(La)掺杂高K电介质。

9.如权利要求1所述的电子装置，进一步包括位于所述偶极区上的覆盖层，所述覆盖层包括以下一者或多者：氮化钛或钛铝。

10.如权利要求1所述的电子装置，其中所述偶极层具有小于约的厚度。

11.一种制造电子装置的方法，所述方法包括：

在沟道的顶表面上沉积层间电介质，所述沟道位于基板上的源极与漏极之间；

在所述层间介电层上沉积高K介电材料；和

在所述高K介电材料上沉积偶极层。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、或氮化钛钽(TiTaN)。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述偶极层包括以下的一者或多者：碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。

14.如权利要求12所述的方法，其中沉积所述偶极层包括在约200℃至约500℃的范围内的温度下的氮化钛(TiN)与偶极前驱物的交替循环的原子层沉积。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述偶极前驱物包括以下一者或多者：氮化镧(LaN)、氮化钇(YN)、氮化锶(SrN)、氮化镁(MgN)、氮化铝(AlN)、或氮化钽(TaN)。

16.如权利要求13所述的方法，其中沉积所述偶极层包括在约200℃至约500℃的范围内的温度下的铪前驱物与第二前驱物的交替循环的原子层沉积。