[发明专利]磁传感器在审
| 申请号： | 202080041266.4 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN113906303A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三;筱龙德;坂胁彰;利根川翔;渡边恭成 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/06 | 分类号： | G01R33/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.磁传感器，其具备：
非磁性的基板；和
感应元件，所述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，
所述感应元件具有多个软磁体层、和由非磁体构成且层叠于多个该软磁体层之间的多个非磁体层，夹着各个该非磁体层而相对的该软磁体层是经反铁磁性耦合的。
2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，各个所述非磁体层由Ru或Ru合金构成。
3.如权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，各个所述非磁体层的厚度为0.6nm以上且1.4nm以下的范围。
4.如权利要求1至3中任一项所述的磁传感器，其特征在于，在从所述软磁体层的层叠方向观察该软磁体层的情况下，所述感应元件不形成闭合磁畴。
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