[发明专利]磁传感器

说明书

磁传感器具备非磁性的基板和感应元件31，所述感应元件31具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，感应元件31具有多个软磁体层105a～105d、和由非磁体构成且层叠于多个软磁体层105a～105d之间的多个非磁体层106a～106c，夹着各个非磁体层106a～106c而相对的软磁体层105a～105d是经反铁磁性耦合的。

技术领域

本发明涉及磁传感器。

背景技术

作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗效应元件，其具备：薄膜磁铁，其形成于非磁性基板上，并且由硬磁体膜形成；绝缘层，其将前述薄膜磁铁的上部覆盖；和感磁部，其形成于前述绝缘层上，被赋予了单轴各向异性，并且由一个或多个长方形的软磁体膜形成(参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-249406号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在使用具有软磁体层的感应元件作为磁阻抗效应元件的磁传感器中，根据感应元件的层叠结构的不同，有时来自磁传感器的输出中的信号(Signal)与噪声(Noise)之比即SN比降低。

本发明的目的是抑制利用了磁阻抗效应的磁传感器的输出中的SN比的降低。

用于解决课题的手段

应用了本发明的磁传感器具备非磁性的基板和感应元件，前述感应元件具有长边方向和短边方向，在与该长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场，前述感应元件具有多个软磁体层、和由非磁体构成且层叠于多个该软磁体层之间的多个非磁体层，夹着各个该非磁体层而相对的该软磁体层是经反铁磁性耦合的。

此处，各个前述非磁体层可以由Ru或Ru合金构成。

另外，各个前述非磁体层的厚度可以为0.6nm以上、1.4nm以下的范围。

另外，可以是在从前述软磁体层的层叠方向观察该软磁体层的情况下，前述感应元件不形成闭合磁畴。

发明的效果

根据本发明，能够抑制利用了磁阻抗效应的磁传感器的输出中的SN比的降低。

附图说明

[图1](a)～(b)为对应用了本实施方式的磁传感器的一个例子进行说明的图。

[图2]为对应用了本实施方式的感应元件的构成进行说明的图。

[图3]为对在磁传感器的感应部中的感应元件的长边方向上施加的磁场与感应部的阻抗之间的关系进行说明的图。

[图4](a)～(d)为用于对以往的磁传感器中施加于感应元件的磁场H的强度与感应元件中的磁畴的变化之间的关系进行说明的图。

[图5]为用于对施加于感应元件的磁场的强度与感应元件中的磁化的强度之间的关系进行说明的图。

[图6]为对具有图2所示的层叠结构的应用了本实施方式的感应元件的磁畴的状态进行拍摄而得的照片。

[图7](a)～(b)为对以往的感应元件的磁畴的状态进行拍摄而得的照片。

具体实施方式

以下，参照附图来对本发明的实施方式进行说明。

图1(a)～(b)为对应用了本实施方式的磁传感器1的一个例子进行说明的图。图1(a)为磁传感器1的俯视图，图1(b)为沿图1(a)中的IB-IB线的截面图。