[发明专利]用于平坦光学装置的孔

权利要求书

1.一种方法，包括以下步骤：

在基板的表面上设置孔材料层；

图案化所述孔材料层，以在与以下中的一个相对应的所述基板的所述表面的区域之上形成孔：

由相邻的光学装置界定的第一空间；和

由所述相邻的光学装置中的一个光学装置和所述基板的外周界定的第二空间；

在所述孔和所述基板的所述表面之上设置结构材料层；

在所述孔和所述结构材料层之上设置硬模；

将图案化的光刻胶设置在所述硬模之上，所述图案化的光刻胶界定暴露的硬模部分；

去除所述暴露的硬模部分以暴露所述结构材料层的结构部分；和

去除所述结构部分以在所述基板的所述表面的区域之上的所述孔之间形成多个结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中在形成所述多个结构之后，去除所述图案化的光刻胶和所述硬模。

3.如权利要求2所述的方法，其中去除所述图案化的光刻胶包括光刻处理或蚀刻处理中的至少一种。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述孔材料层包括一种或多种含铬(Cr)、氮化钛(TiN)、非晶硅(a-Si)、钛(Ti)、和铝(Al)的材料。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述设置所述孔材料层包括物理气相沉积(PVD)处理、化学气相沉积(CVD)处理、等离子体增强(PECVD)处理、可流动CVD(FCVD)处理、和原子层沉积(ALD)处理中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述图案化所述孔材料层包括离子注入、离子蚀刻、反应离子蚀刻(RIE)、定向RIE、微喷砂、喷水切割、激光蚀刻、和选择性湿法化学蚀刻中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述硬模包括含铬(Cr)、银(Ag)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化硅(SiO₂)、TiN、和碳(C)的材料中的一种或多种。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述设置所述硬模包括液体材料模铸造处理、旋转涂布处理、液体喷涂处理、干粉涂布处理、丝网印刷处理、刮刀涂布处理、PVD处理、CVD处理、PECVD处理、FCVD处理、和ALD处理中的一种或多种。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述硬模具有比所述结构材料层更大的蚀刻选择性。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述多个结构中的每个结构是具有尺寸小于约1000纳米(nm)的纳米结构。

11.一种方法，包括以下步骤：

在基板的表面上设置结构材料层；

在所述结构材料层之上设置孔材料层；

图案化所述孔材料层，以在与以下中的一个相对应的所述基板的所述表面的区域之上形成孔：

由相邻的光学装置界定的第一空间；和

由所述相邻的光学装置中的一个光学装置和所述基板的外周界定的第二空间；

在所述孔和所述结构材料层之上设置有机平坦化层(OPL)；

将图案化的光刻胶设置在所述OPL之上，所述图案化的光刻胶界定暴露的OPL部分；

去除所述暴露的OPL部分以暴露所述结构材料层的结构部分；和

去除所述结构部分以在所述基板的所述表面的区域之上的所述孔之间形成多个结构。

12.如权利要求11所述的方法，其中在所述结构材料层和所述孔材料层之间设置硬模。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述结构材料层是含非晶硅(a-Si)的层，所述硬模是含氮化硅(Si₃N₄)的层，并且所述孔材料层是含铬(Cr)的层。