[发明专利]存储器阵列及用于形成包括存储器单元串及可操作直通阵列通孔的存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串及可操作直通阵列通孔(TAV)的存储器阵列的方法，所述方法包括：

形成包括垂直交替的绝缘层级及导电层级的堆叠，所述堆叠包括TAV区及可操作存储器单元串区，所述TAV区包括间隔的可操作TAV区域；

在所述堆叠中所述可操作存储器单元串区中形成可操作通道材料串且在所述堆叠中所述TAV区中在所述可操作TAV区域的横向外部且未在所述可操作TAV区域内形成虚设通道材料串；及

在所述TAV区中的所述间隔的可操作TAV区域中的个别者中形成可操作TAV。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括同时形成所述可操作通道材料串及虚设通道材料串。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述可操作通道材料串及虚设通道材料串之后形成所述可操作TAV。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括形成相对于彼此个别地具有相同水平形状的所述可操作通道材料串及虚设通道材料串。

5.根据权利要求1所述的方法，其包括形成相对于彼此个别地具有相同大小及形状的所述可操作通道材料串及虚设通道材料串。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括形成相对于彼此具有相同间距的所述可操作通道材料串及所述虚设通道材料串。

7.根据权利要求6所述的方法，其包括形成相对于彼此个别地具有相同大小及形状的所述可操作通道材料串及虚设通道材料串。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括形成个别地在水平上小于所述可操作TAV的所述可操作通道材料串及虚设通道材料串。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述可操作通道材料串在构成存储器平面的部分的横向间隔的存储器块内；所述虚设通道材料串、所述TAV区及所述可操作TAV在所述存储器平面内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述可操作通道材料串在构成存储器平面的部分的横向间隔的存储器块内；所述虚设通道材料串、所述TAV区及所述可操作TAV在所述存储器平面的外部。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述虚设通道材料串、所述TAV区及所述可操作TAV是平面边缘。

12.根据权利要求10所述的方法，

其中在梯阶区的平台区中形成所述虚设通道材料串、所述TAV区及所述可操作TAV；且

所述方法进一步包括：

在所述堆叠中所述梯阶区中形成可操作梯阶结构且在所述梯阶区的所述平台区中形成平台。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述平台是所述可操作梯阶结构的脊部。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述可操作通道材料串在构成存储器平面的部分的横向间隔的存储器块内；且

所述方法进一步包括：

形成相对于彼此横向间隔的多个所述TAV区，所述TAV区中的至少一者在所述存储器平面内，所述TAV区中的至少另一者在所述存储器平面的外部。

15.根据权利要求1所述的方法，其包括形成阵列下CMOS电路系统。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述可操作TAV使所述存储器阵列的数字线与阵列下CMOS电路系统直接电耦合。

17.根据权利要求1所述的方法，其包括形成包括NAND的所述存储器阵列。