[发明专利]铣削多层式物体

说明书

一种铣削机、非瞬态计算机可读介质、以及用于铣削多层式对象的方法。所述方法可以包括：(i)接收或确定与铣削工艺有关的铣削参数，所述铣削参数可以包括下列项中的至少二者：(a)散焦强度，(b)铣削工艺的持续时间，(c)在铣削工艺中供应给物镜的偏置电压，(d)离子束能量，和(e)离子束电流密度；以及(ii)通过在保持铣削参数的同时应用铣削工艺来形成凹坑，其中应用铣削工艺包括将散焦的离子束引导到多层式对象上。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年6月7日提交的美国非临时申请第16/435,367号的优先权，以所有目的其全部内容通过引用合并于此。

背景技术

诸如各种半导体对象(例如，半导体晶片、显示面板、太阳能晶片)之类的多层式对象可以包括微观尺度的多层。令人感兴趣的是所述层的尺寸(例如厚度)以及一层覆盖在另一层之上的方式。

越来越需要提供用于评估多层式对象的系统、非瞬态计算机可读介质、以及方法。

发明内容

提供一种用于铣削多层式对象的方法。所述方法可以包括：(i)接收或确定与铣削工艺有关的铣削参数，所述铣削参数可以包括下列项中的至少二者：(a)散焦强度，(b)铣削工艺的持续时间，(c)在铣削工艺中供应给物镜的偏置电压，(d)离子束能量，和(e)离子束电流密度；以及(ii)通过在保持铣削参数的同时应用铣削工艺来形成凹坑，其中所述应用铣削工艺可包括将散焦的离子束引导到多层式对象上。

可提供一种存储指令的非瞬态计算机可读介质，所述指令用于：(i)接收或确定与铣削工艺有关的铣削参数；其中，铣削参数可包括以下项中的至少二者：(a)离焦强度；(b)铣削工艺的持续时间；(c)在铣削工艺中供应给物镜的偏置电压；(d)离子束能量，和(e)离子束电流密度；以及(ii)通过在保持铣削参数的同时应用铣削工艺来形成凹坑，其中，所述应用铣削工艺可包括将散焦的离子束引导到多层式对象上。

可提供一种铣削机，所述铣削机可包括控制器及聚焦的离子束柱。所述控制器可经配置用于接收或确定与铣削工艺有关的铣削参数。所述铣削参数可包括以下项中的至少二者：(a)离焦强度；(b)铣削工艺的持续时间；(c)在铣削工艺中供应给物镜的偏置电压；(d)离子束能量；(e)离子束电流密度。所述聚焦的离子束柱可经配置用于通过在保持所述铣削参数的同时应用铣削工艺来形成凹坑。所述应用铣削工艺可包括将散焦的离子束引导到多层式对象上。

附图说明

可以在说明书的总结部分中特别指出并明确请求保护所要保护的主题的示例。然而，通过参考以下详细说明，当结合附图阅读时，可较佳地理解本公开内容的实施例的组成和操作方法以及其目的、特征和优点，其中：

图1是使用聚焦的离子束在多层式对象中形成的凹坑的图像的示例；

图2是使用散焦的离子束在多层式对象中形成的凹坑的图像的示例；

图3是使用散焦的离子束在多层式对象中形成的凹坑的图像的示例；

图4是使用散焦的离子束在多层式对象中形成的凹坑的图像的示例；

图5是聚焦的离子束柱的示例；

图6是扫描型电子显微镜柱的示例；以及

图7是铣削机的示例；以及

图8示出了方法的示例。

应理解，为了说明的简化及清楚起见，图中所示的元件未必按比例绘制。例如，为了清楚起见，一些元件的尺寸可能相对于其他元件被放大。此外，在认为适当的情况下，可以在附图之间重复附图标记以指示对应或相似的元件。

具体实施方式