[发明专利]pH调节水制造装置

说明书

pH调节水制造装置，具有在超纯水(W)的供给线(1)中具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)和气体溶解膜装置(4)，且在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置之间设置有pH调节剂注入装置(5)的构成。在膜式脱气装置膜(3)的气相侧连接有非活性气体源(6)，并且，在气体溶解膜装置(4)的气相侧也连接有非活性气体源(7)，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。本发明的pH调节水制造装置能够高度控制pH。

技术领域

本发明涉及一种用于电子工业领域等的pH调节水制造装置，尤其涉及一种能高度控制pH的pH调节水制造装置。

背景技术

在LSI等电子部件的制造工序中，重复进行处理具有微细结构的被处理体的工序。另外，以除去附着于晶片或基板等处理体表面的微粒、有机物、金属、自然氧化皮膜等为目的进行洗涤，达成并保持高度的清洁度对于保持产品的品质或提高成品率来说是重要的。例如，使用硫酸/过氧化氢水溶液混合液、氢氟酸溶液等洗涤液进行该洗涤，在该洗涤后进行使用超纯水的漂洗。要求供给于该漂洗等洗涤的超纯水或药液为高纯度。另外，近年来，由于半导体设备微细化、材料多样化、工艺复杂化，洗涤次数增多。

通常在超纯水的制造中使用由前处理系统、一次纯水系统、二次纯水系统(子系统)构成的超纯水制造装置。在使用由这样的超纯水制造装置制造的超纯水进行的漂洗时，存在因超纯水中的溶解氧而在晶片表面上形成薄氧化皮膜的问题。为了解决这个问题，在专利文献1和2中，提出了使用由氢溶解水降低过氧化氢后的水来进行漂洗等洗涤的方法，该氢溶解水是在经脱气而除去了溶解氧的超纯水中溶解氢气而得到的。另外，在专利文献3中，提出了使导电性物质溶解于作为原料的超纯水中，之后使其通过填充了有机多孔质离子交换体的离子交换塔，以提供浓度稳定的导电性水溶液的装置。

此外，在半导体或液晶的制造工艺中，使用杂质被高度除去的超纯水进行半导体晶片或玻璃基板的洗涤。在使用这样的超纯水的半导体晶片的洗涤中，已知存在以下问题：伴随近年来半导体设备的微细化，超纯水中包含的极微量的过氧化氢等导致布线金属腐蚀；因使用电阻率高的超纯水，从而在洗涤时变得易产生静电，导致绝缘膜静电破坏或微粒再附着。因此，近年来，通过在超纯水中添加二氧化碳或氨等药液来调节pH，解决上述问题。在专利文献4中，对于这样的上述课题，示出通过添加微量过氧化氢以调节氧化还原电位从而能够有效地活用的可能性。另外，提出了添加非活性气体以排除溶解氧的方案。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-136077号公报；

专利文献2：日本特开2010-017633号公报；

专利文献3：日本特开2016-076590号公报；

专利文献4：日本特开2018-167230号公报。

发明内容

发明要解决的课题

但是，在专利文献1～3中记载的技术中，由于不能够除去所添加的药液中包含的溶解气体种类，因此存在以下问题：难以应对洗涤超微细加工的半导体设备时所产生的诸多问题。另外，在专利文献4中，提出了溶解非活性气体的方案，但没有提及其有效的浓度范围。因此，存在以下问题：在实际进行被处理基板的洗涤的腔室中，无法回避因大气中的氧溶解而引起的风险。对于这些在电子工业领域等中使用的洗涤液，希望除去溶解氧并高度控制pH。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的是提供一种能高度控制pH的pH调节水制造装置。

解决课题的技术方案

鉴于上述目的，本发明提供一种pH调节水制造装置，其中，在超纯水供给线中依次具备铂族金属负载树脂柱和膜式脱气装置，在所述铂族金属负载树脂柱与所述膜式脱气装置之间设置有注入pH调节剂的pH调节剂注入装置，所述pH调节剂为氨、盐酸、柠檬酸或氢氟酸(发明1)。