[发明专利]不受噪声和变化影响的窄范围读出放大器在审
申请号: | 202080042761.7 | 申请日: | 2020-05-01 |
公开(公告)号: | CN113994429A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 弗兰克·曾文·郭;布巴内斯瓦尔·阿亚加里-桑加马利;安加达·B·萨钦;布莱西·亚历山大 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不受 噪声 变化 影响 范围 读出 放大器 | ||
1.一种存储电路,包含:
存储阵列,所述存储阵列包含:
一个或多个参考行,提供参考信号;
多个数据行,其中所述多个数据行包含在由读取操作选择时提供数据信号的数据行;
第一电路,从所述参考信号中和从所述数据信号中去除共同信号分量;
第二电路,将所述参考信号调整为在逻辑1信号电平和逻辑0信号电平之间;以及
读出放大器,使用以下信号来确定所述数据信号是代表逻辑1还是逻辑0:
在由所述第一电路去除所述共同信号分量之后且在由所述第二电路调整之后的所述参考信号;以及
在由所述第一电路去除所述共同信号分量之后的所述数据信号。
2.如权利要求1所述的存储电路,其中所述读出放大器包含锁存放大器。
3.如权利要求1所述的存储电路,其中所述存储阵列包含磁性随机存取存储(MRAM)阵列。
4.如权利要求1所述的存储电路,其中所述一个或多个参考行包含位于所述存储阵列的大略中心处的参考行。
5.如权利要求1所述的存储电路,其中所述一个或多个参考行包含第一参考行与第二参考行,所述第一参考行提供所述参考信号,且所述第二参考行作为所述第一参考行的备份。
6.如权利要求1所述的存储电路,其中所述存储阵列中的所述多个数据行包含被构造为输出所储存的逻辑电平的多个位单元,且所述一个或多个参考行包含被构造为输出所述逻辑0信号电平的多个位单元。
7.如权利要求1所述的存储电路,其中通过将所述参考信号减小至所述逻辑1信号电平与所述逻辑0信号电平之间的大略中心信号电平,而调整所述参考信号。
8.如权利要求1所述的存储电路,其中通过将一种信号注入所述参考信号与所述数据信号而从所述参考信号和从所述数据信号去除所述共同信号分量,其中注入所述参考信号与所述数据信号的所述一种信号的量是由多个共源共栅晶体管对控制的。
9.一种从存储电路读取数据的方法,所述方法包含以下步骤:
从位于存储阵列中的一个或多个参考行接收参考信号;
从所述存储阵列中的多个数据行中的一个数据行接收数据信号,其中在由读取操作选择时所述一个数据行提供所述数据信号;
从所述参考信号中和从所述数据信号中去除共同信号分量;
将所述参考信号调整为在逻辑1信号电平和逻辑0信号电平之间;
将所述参考信号在去除所述共同信号分量之后并且在被调整为介于所述逻辑1信号电平和所述逻辑0信号电平之间之后提供给读出放大器;以及
将所述数据信号在去除所述共同信号分量之后提供给所述读出放大器。
10.如权利要求9所述的方法,其中所述一个或多个参考行包含多个参考行,且其中通过对来自所述多个参考行的子集的电流求平均来产生所述参考信号。
11.如权利要求9所述的方法,其中所述一个或多个参考行包含第一参考行与第二参考行,所述第一参考行提供所述参考信号,且所述第二参考行作为所述第一参考行的备份。
12.如权利要求9所述的方法,其中所述存储阵列中的所述多个数据行包含被构造成输出所储存的逻辑电平的多个位单元,且所述一个或多个参考行包含被构造成输出逻辑0的多个位单元。
13.如权利要求9所述的方法,其中通过将所述参考信号减小至所述逻辑1信号电平与所述逻辑0信号电平之间的大略中心信号电平,而调整所述参考信号。
14.如权利要求13所述的方法,其中通过将一种信号注入所述参考信号而减小所述参考信号,其中注入所述参考信号的所述一种信号的量是由共源共栅晶体管对控制的。
15.如权利要求9所述的方法,其中通过将一种信号注入所述参考信号与所述数据信号而从所述参考信号中和从所述数据信号中去除所述共同信号分量,其中注入所述参考信号与所述数据信号的所述一种信号的量是由多个共源共栅晶体管对控制的。
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