[发明专利]真空处理装置

说明书

提供一种具有即使在真空室和处理单元之间存在连通管时也有良好的可维护性的结构的真空处理装置。对被处理基板(Sw)的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置(SM)，其具有：真空室(Pc3)，其设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，在上壁形成有朝向处理面的安装开口(12)；处理单元(CU)，其用于实施真空处理；以及连通管(3)，其设置于真空室和处理单元之间，具有规定长度；该真空处理装置构成为经连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理，处理单元上连接有绕与上下方向正交并延伸的旋转轴(72)摆动的转动臂(74)，还具有将真空室和连通管或处理单元和连通管有选择地锁合的锁合装置(41～44、5)。

技术领域

本发明涉及一种对被处理基板的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置，具体而言，涉及将下述装置设置为具有良好维护性的结构，所述装置构成为：设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，所述装置具有：真空室，其在上壁处形成有面向处理面的安装开口；用于实施真空处理的处理单元；以及具有规定长度的连通管，其设置于真空室和处理单元之间；通过连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理。

背景技术

例如在半导体器件的制造工序中，为了对被处理基板在真空气氛中始终实施热处理、离子轰击处理、成膜处理和蚀刻处理等各种真空处理，而广泛采用所谓的组合设备工具(クラスターツール)式真空处理系统，其具有：配置了运输机器人的中央的运输室；以及围绕该运输室配置的多个处理室(例如参照专利文献1)。作为在任意一个处理室中实施的成膜处理，存在使用溅射法的装置(溅射装置)。其中，还有的装置是设置为将实施真空处理的处理单元(阴极单元)的构成部件即靶和配置在真空室内的被处理基板的处理面之间的距离(TS距离)设置得较长，在靶的溅射时，从溅射面释放的溅射粒子相对于处理面大致垂直地入射(所谓的LTS法)。

当要使用现有的阴极单元构成可通过LTS法成膜的溅射装置时，通常是设置被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，在上壁形成有面向处理面的安装开口的真空室和阴极单元之间，与TS距离对应地设置连通管，其长度适当选择。在真空室和连通管的内部通常设置有防尘板。

此处，靶是所谓的消耗品，再有，由于溅射粒子附着的防尘板也会成为微粒子的发生源，因此会将真空室内大气开放并定期更换靶和防尘板。更换靶的时时间段和更换防尘板的时间段不一定要相同。再有，尤其是也需要定期进行去除附着在真空室内的壁面和位于其内部的部件(例如用于导入溅射气体的气管)上的粒子的清理，通常多是与更换防尘板配合进行。

再有，阴极单元和连通管通常是重物。因此，例如不伴随更换靶，实施真空室内的防尘板的更换和清理时，通过带有旋转臂的开合机构打开阴极单元，从连通管上方实施作业，因此可操作性差。再有，操作人员使用设备侧的起重机等拆卸阴极单元，进而使用设备侧的起重机等拆卸连通管，之后实施该作业，因此存在可维护性显著恶劣的问题。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利公开2010－162611号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

鉴于以上内容，本发明的技术问题是提供一种具有即使在真空室和处理单元之间存在连通管时也有良好的可维护性结构的真空处理装置。

解决技术问题的手段

为了解决上述技术问题，本发明的真空处理装置，是对被处理基板的处理面实施规定的真空处理的真空处理装置，其具有：真空室，其设置有被处理基板，以处理面所朝的方向为上方，在上壁形成有朝向处理面的安装开口；处理单元，其用于实施真空处理；以及连通管，其设置于真空室和处理单元之间，具有规定长度；其构成为经连通管对真空气氛的真空室内的被处理基板实施规定的真空处理，处理单元上连接有绕与上下方向正交并延伸的旋转轴摆动的转动臂，还具有将真空室和连通管或处理单元和连通管有选择地锁合的锁合装置。