[发明专利]二氟乙烯的制造方法在审
申请号: | 202080042926.0 | 申请日: | 2020-06-10 |
公开(公告)号: | CN113993830A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 高桥一博;山本治 | 申请(专利权)人: | 大金工业株式会社 |
主分类号: | C07C21/18 | 分类号: | C07C21/18;C07C17/358 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;张岑尧 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 乙烯 制造 方法 | ||
本发明提供一种高效地得到HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)的方法。HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)的制造方法包括向反应器中供给含有HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)的组合物,通过光照射,进行HFO-1132(E)与HFO-1132(Z)之间的异构化反应的工序。
技术领域
本发明涉及一种二氟乙烯的制造方法。
背景技术
在非专利文献1中公开了通过使用碘作为催化剂并使HFO-1132(Z)在气相中接触而异构化成HFO-1132(E)的方法。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1:Journal of the American Chemical Society,1961,vol.83,3047
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明所要解决的技术问题在于:提供一种高效地得到HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)的方法。
用于解决技术问题的技术方案
项1.一种HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)的制造方法,其包括如下的工序:向反应器中供给含有反式-1,2-二氟乙烯(HFO-1132(E))和/或顺式-1,2-二氟乙烯(HFO-1132(Z))的组合物,照射具有10nm以上400nm以下的波长的光,进行HFO-1132(E)与HFO-1132(Z)之间的异构化反应的工序。
项2.一种HFO-1132(E)的制造方法,其包括如下的工序:向反应器中供给HFO-1132(Z)或含有HFO-1132(E)和HFO-1132(Z)的组合物,照射具有10nm以上400nm以下的波长的光,进行HFO-1132(E)与HFO-1132(Z)之间的异构化反应的工序。
项3.如上述项1或2所述的制造方法,其中,在气相中进行上述异构化反应。
项4.如上述项1~3中任一项所述的制造方法,其包括在上述异构化反应后,通过蒸馏,分离成HFO-1132(E)和HFO-1132(Z)的分离工序。
项5.如上述项4所述的制造方法,其包括在上述分离工序之后,将HFO-1132(Z)再次供于上述异构化反应,再供于异构化反应的工序。
发明效果
利用本发明,能够高效地得到HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)。
附图说明
图1是示意地表示本发明的HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)的制造方法的图。
图2是示意地表示在本发明的HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)的制造方法中高效地得到HFO-1132(E)的方法的图。
具体实施方式
本发明的发明人发现,在将1,1,2-三氟乙烷(HFC-143)等三卤代乙烷作为原料并在催化剂存在下进行脱氟化氢反应而得到HFO-1132的现有方法中,由于同时生产作为异构体的HFO-1132(E)和HFO-1132(Z),因此在只希望得到任意种异构体的情况下,另一种异构体是不需要的,这在成本方面是低效的。还发现在现有的异构化反应中,因使用腐蚀性高、升华点低的碘而难以设备化这样的技术问题。
因此,本发明所要解决的技术问题在于提供一种解决该技术问题的方案。具体而言,本发明所要解决的技术问题在于,提供如下的方法:如利用三卤代乙烷的脱卤化氢反应得到HFO-1132的方法等那样,在同时生产HFO-1132(E)和HFO-1132(Z)的情况下,更高效地得到HFO-1132(E)和/或HFO-1132(Z)。
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