[发明专利]光电转换元件、成像元件、光传感器及光电转换元件用材料

权利要求书

1.一种光电转换元件，其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，

所述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料，

[化学式1]

式(1)中，X¹表示-O-、-S-、-Se-、-Te-或-NR^a1-，

Y^a1及Z^a1中的一者表示-CR^a2＝或-N＝而另一者表示-O-、-S-、-Se-、-Te-或-NR^a3-，

Y^a2及Z^a2中的一者表示-CR^a2＝或-N＝而另一者表示-O-、-S-、-Se-、-Te-或-NR^a3-，

Q¹～Q⁴分别独立地表示-CR^a4＝或-N＝，

R^a1～R^a4分别独立地表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的甲硅烷基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，

Ar¹及Ar²分别独立地表示可以具有取代基的芳香环基。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述式(1)所表示的化合物为式(2)所表示的化合物，

[化学式2]

式(2)中，X¹表示-O-、-S-、-Se-、-Te-或-NR^a1-，

Y^a1及Z^a1中的一者表示-CR^a2＝或-N＝而另一者表示-O-、-S-、-Se-、-Te-或-NR^a3-，

Y^a2及Z^a2中的一者表示-CR^a2＝或-N＝而另一者表示-O-、-S-、-Se-、-Te-或-NR^a3-，

R^a1～R^a3及R¹～R⁴分别独立地表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的甲硅烷基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，

Ar¹及Ar²分别独立地表示可以具有取代基的芳香环基。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，所述式(1)所表示的化合物为式(3)所表示的化合物，

[化学式3]

式(3)中，X²表示-O-、-S-或-Se-，

Y^b1及Y^b2分别独立地表示-O-、-S-或-Se-，

R¹～R⁶分别独立地表示氢原子、卤素原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的烷氧基、可以具有取代基的烷硫基、可以具有取代基的甲硅烷基、可以具有取代基的烯基、可以具有取代基的炔基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的杂芳基，

Ar¹及Ar²分别独立地表示可以具有取代基的芳香环基。

4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中，

X²、Y^b1及Y^b2表示-S-。