[发明专利]光电转换元件、成像元件、光传感器及光电转换元件用材料

说明书

本发明提供一种光电转换元件，其即使在蒸镀制造光电转换元件中的光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也显示稳定的性能。并且，提供一种成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜(11)、光电转换膜(12)及透明导电性膜(15)，其中，光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料。

技术领域

本发明涉及一种光电转换元件、成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。

背景技术

近年来，正在进行具有光电转换膜的元件(例如，成像元件)的开发。

例如，在专利文献1中，公开有具有包含规定的化合物的光电转换层的光电转换元件。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/159684号

发明内容

发明要解决的技术课题

近年来，随着提高成像元件及光传感器等的性能的需求，对于使用于这些的光电转换元件所要求的各种特性，也要求进一步提高。

例如，根据制造上的要求，要求光电转换元件即使在蒸镀制造光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也能够实现稳定的性能(尤其，暗电流特性)。

鉴于上述情况，本发明的课题在于提供一种光电转换元件，其即使在蒸镀制造光电转换元件中的光电转换膜时光电转换膜的成分比发生变动的情况下，也显示稳定的性能。

并且，本发明的课题还在于提供一种成像元件、光传感器及光电转换元件用材料。

用于解决技术课题的手段

本发明人等对上述课题进行深入研究的结果，发现通过下述结构能够解决上述课题，从而完成了本发明。

〔1〕一种光电转换元件，其依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，

上述光电转换膜包含式(1)所表示的化合物及n型半导体材料。

〔2〕如〔1〕所述的光电转换元件，其中，上述式(1)所表示的化合物为式(2)所表示的化合物。

〔3〕如〔1〕或〔2〕所述的光电转换元件，其中，上述式(1)所表示的化合物为式(3)所表示的化合物。

〔4〕如〔3〕所述的光电转换元件，其中，式(3)中，X²、Y^b1及Y^b2表示-S-。

〔5〕如〔1〕至〔4〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述式中，Ar¹及Ar²分别独立地表示可以具有取代基的多环芳香族烃环基或式(R)所表示的基团。

〔6〕如〔1〕至〔5〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述式(1)所表示的化合物的分子量为400～900。

〔7〕如〔1〕至〔6〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述光电转换膜具有在混合上述式(1)所表示的化合物与上述n型半导体材料的状态下形成的本体异质结构。

〔8〕如〔1〕至〔7〕中任一项所述的光电转换元件，其中，在上述导电性膜与上述透明导电性膜之间，除了上述光电转换膜以外，还具有1种以上的中间层。

〔9〕如〔1〕至〔8〕中任一项所述的光电转换元件，其中，上述n型半导体材料包含选自包括富勒烯及其衍生物的组中的富勒烯类。

〔10〕一种成像元件，其具有〔1〕至〔9〕中任一项所述的光电转换元件。

〔11〕一种光传感器，其具有〔1〕至〔9〕中任一项所述的光电转换元件。