[发明专利]用于沉积包含镓和铟的半导体层系统的方法

权利要求书

1.一种用于通过将反应气体与载气共同馈入CVD反应器(1)的过程室(2)中在基体(4)上沉积半导体层系统的方法，其中，在第一过程步骤中，在第一过程参数中通过馈入至少一个包含镓的第一反应气体沉积包含镓、然而不包含铟的第一层或者层序列(11)，并且接着在第二过程步骤中，在第二过程参数中通过馈入至少一个包含铟的第二反应气体沉积包含铟的第二层(12、13)或者层序列，其特征在于，在第一过程步骤中附加地将包含铟的反应气体或者在第一和第二过程步骤之间的中间步骤中将包含铟的反应气体在没有铟沉积到所述基体(4)上的情况下沉积，并且在第二过程步骤中没有镓沉积在所述基体(4)上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一过程参数(2)设置为，使得第一层或者层序列(11)不包含铟并且所述第二过程参数设置为，使得所述第二层不包含镓。

3.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述第一过程步骤在下述基体温度中进行，所述基体温度这样高，使得没有铟沉积并且基体温度在第二过程步骤中比第一过程步骤的基体温度低。

4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在所述第一过程步骤或者中间步骤期间，在处理室顶部上进行凝结在所述处理室顶部上的镓和包含铟的反应气体之间的化学置换反应和/或其中附着在所述处理室顶部上附着的镓或者附着在所述处理室顶部上的镓化合物至少部分地被铟或者铟化合物置换。

5.根据前述权利要求所述的方法，其特征在于，基体温度在第一过程步骤或者中间步骤中大于1000℃并且基体温度在第二过程步骤中小于1000℃。

6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述载气在第一过程步骤或者中间步骤中为H₂并且在第二过程步骤中为N₂。

7.一种根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在所述中间步骤期间，所述处理室顶部的表面温度是与在所述第一和/或所述第二过程步骤期间不同的温度并且尤其是比在所述第一和/或所述第二过程步骤期间更高的温度，和/或在所述中间步骤期间处理室高度降低。

8.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在所述第一过程步骤或者所述中间步骤中，通过降低构成所述处理室顶部的进气元件(5)或者布置在所述进气元件(5)下方的保护板(10)降低处理室高度。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述进气元件(5)为具有均匀地布置在排气面上的排气开口(7)的莲蓬头，其中，所述排气面被主动地冷却。

10.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在第一和第二过程步骤期间在具有至少300mm的直径的同一基体(4)上沉积层以制造HEMT，其中，处理室高度为9至25mm。

11.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述第一层或者层序列(11)包含GaN、AlGaN或者GaAs和/或所述第二层(12)包含AlInN，和/或在所述第一层或者层序列和第二层或者层序列之间沉积由AlN构成的中间层(13)。

12.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在所述第一过程步骤或者所述中间步骤期间，处理室顶部的温度保持在低于100℃的温度中，和/或在所述第一过程步骤中，铟相对于镓的摩尔比至少为1/3或者处理室顶部温度大于100℃并且铟相对于镓的摩尔比大于1/10。

13.一种方法，其特征在于，具有前述权利要求中任一项的特征中的一个或多个特征。