[发明专利]用于沉积包含镓和铟的半导体层系统的方法

说明书

本发明涉及一种用于沉积半导体层系统的方法，在所述方法中，第一层序列具有包含镓的层并且第二层序列具有包含铟的层。为了避免在沉积包含铟的层时来自处理室中的残余物中的镓嵌入包含铟的层中建议，在第一过程步骤中附加地将包含铟的反应气体馈入处理室(2)中并且这样设置第一过程参数(2)，使得第一层或者层序列(11)不包含铟，或者在第一和第二过程步骤之间的中间步骤中将包含铟的反应气体馈入处理室(2)中，并且在此这样设置过程参数，使得没有铟沉积到基体(4)上，并且在第二过程步骤中这样设置第二过程参数，使得第二层不包含镓。

技术领域

本发明涉及一种用于通过将反应气体与载气共同馈入CVD反应器的过程室中在基体上沉积半导体层系统的方法，其中，在第一过程步骤中，在第一过程参数中通过馈入至少一个包含镓的第一反应气体沉积包含镓的第一层或者层序列，并且接着在第二过程步骤中，在第二过程参数中通过馈入至少一个包含铟的第二反应气体沉积包含铟的第二层或者层序列。

背景技术

通过这种尤其是在MOCVD反应器中进行的方法制造半导体多层结构，该半导体多层结构尤其是用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的制造。在基体、尤其是硅基体上首先沉积掺杂硅的AlN层。在所述掺杂硅的AlN层上沉积AlGaN层。该AlGaN层又承载AlN层。该层序列包含其它的Al-GaN层和构成u-GaN通道的GaN层。在该包含镓的层或者层序列上随即在必要时在中间沉积由AlN构成的中间层的情况下沉积包含铟的层或者层序列，其中，该层可以具有AlInN。

在沉积包含镓的第一层序列期间，在处理室的壁上并且尤其是在与承载基体的处理室底部对置的处理室顶部形成包含镓的寄生沉积物。在之后的第二过程步骤中，这些镓由于嵌入包含铟的层中而对包含铟的第二层或者层序列的层质量造成干扰性的影响。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，建议下述措施，通过该措施抑制镓原子不期望地嵌入第二层或者层序列中。

所述技术问题通过在权利要求中给出的发明解决，其中，从属权利要求不仅是权利要求1给出的发明的有利的扩展设计，而且是所述技术问题的独立解决方案。