[发明专利]背面研磨带

说明书

一种背面研磨带，其具有片状的基材、和在基材的一面形成的粘着剂层，粘着剂层由粘着剂组合物的固化物形成，厚度为50～500μm，粘着剂组合物包含聚氨酯(A)、(甲基)丙烯酸酯单体(B)、链转移剂(C)、光聚合引发剂(D)、和0.4～6质量％的离子液体(E)，聚氨酯(A)包含聚氨酯(a1)，上述聚氨酯(a1)具有包含来源于聚氧亚烷基多元醇的结构和来源于多异氰酸酯的结构的骨架，且在多个末端具有(甲基)丙烯酰基。

技术领域

本发明涉及适合用于半导体晶片加工用的背面研磨带。

本申请基于2019年9月5日在日本申请的特愿2019-162092号来主张优先权，将其内容援用到本文中。

背景技术

随着半导体器件的薄型化的要求，在半导体器件的制造工序中进行了半导体晶片的背面研磨工序。在半导体晶片的背面研磨工序中，将半导体晶片的表面(正面)用背面研磨带进行了保护后，将半导体晶片的背面进行磨削，将半导体晶片薄型化。

以往提出了各种为了保护半导体晶片的表面而使用的背面研磨带。近年来，对于在表面形成有由焊料等形成的凸块(电极)的半导体晶片等表面具有凹凸部分的半导体晶片，也要求具有充分的凹凸吸收性的背面研磨带。

此外，以往，在将背面研磨带从半导体晶片剥离时，有时被称为剥离起电的静电产生，半导体晶片的电路被破坏，或半导体晶片附着异物。因此，要求背面研磨带具有充分的抗静电性。

作为兼具凹凸吸收性和抗静电性两性能的背面研磨带，例如，在专利文献1中公开了依次具备基材层、凹凸吸收性树脂层、抗静电层、和粘着性树脂层的半导体晶片加工用粘着性膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-6540号公报

发明内容

发明所要解决的课题

然而，专利文献1所记载的半导体晶片加工用粘着性膜由于需要在将各层分别片化后贴合而制造，因此制造步骤复杂。

此外，要求背面研磨带具有可以将半导体晶片等被粘物以充分的强度固定于背面研磨带的粘着力。然而，有时如果将粘着力高的背面研磨带粘贴于被粘物后对被粘物进行加工，然后将背面研磨带剥离，则背面研磨带的粘着剂层被转印于被粘物的残胶发生。

本发明是鉴于上述情况而提出的，其目的是提供具有充分的凹凸吸收性、抗静电性、粘着力，并且将背面研磨带剥离后不易发生残胶，而且能够以少的制造工序制造的背面研磨带。

用于解决课题的方法

本发明的第一方案为以下背面研磨带。

[1]一种背面研磨带，其特征在于，是具有片状的基材、和在上述基材的一面形成的粘着剂层的背面研磨带，

上述粘着剂层由粘着剂组合物的固化物形成，厚度为50～500μm，

上述粘着剂组合物包含聚氨酯(A)、(甲基)丙烯酸酯单体(B)、链转移剂(C)、光聚合引发剂(D)、和离子液体(E)，

上述聚氨酯(A)包含聚氨酯(a1)，

上述聚氨酯(a1)具有包含来源于聚氧亚烷基多元醇的结构和来源于多异氰酸酯的结构的骨架，且在多个末端具有(甲基)丙烯酰基，

上述粘着剂组合物含有离子液体(E)0.4～6.0质量％。

本发明的第一方案的上述背面研磨带如以下所述那样，可以优选包含以下特征。以下特征优选可以将2个以上组合。

[2]根据[1]所述的背面研磨带，上述粘着剂层为单层结构。