[发明专利]清洗方法在审
申请号: | 202080045592.2 | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN114008539A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 山田晃平 | 申请(专利权)人: | 花王株式会社 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42;H05K3/18;C11D7/50;C11D7/36;C11D7/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王永红 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 方法 | ||
本发明在一个方式中提供一种能够降低对基板的影响,且树脂掩膜去除性优异的清洗方法。本发明在一个方式中涉及一种清洗方法,其包含使用清洗剂组合物从附着有树脂掩膜的被清洗物剥离树脂掩膜的工序,上述清洗剂组合物含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)、螯合剂(成分C)及水(成分D),成分B是选自二醇醚及芳香族酮中的至少一种溶剂,成分C是具有2个以上的选自羧基及膦酸基中的至少一种酸基的化合物,上述清洗剂组合物在使用时的成分B的含量为1质量%以上且12质量%以下,上述清洗剂组合物在使用时的成分D的含量为65质量%以上且95质量%以下,被清洗物经过了进行如下处理的工序,该处理为使用了树脂掩膜的焊接及镀覆处理中的至少一种处理。
技术领域
本发明涉及一种清洗方法、使用该清洗方法的电子部件的制造方法及用途。
背景技术
近年来,在个人电脑、各种电子装置中,低能耗化、处理速度的高速化、小型化不断发展,搭载于这些中的封装基板等的布线的微细化逐年发展。在这种微细布线以及柱、凸块之类的连接端子的形成中,迄今为止主要使用金属掩膜法,但由于其通用性较低、难以应对布线等的微细化,因此正向其他新方法变化。
作为新方法之一,已知有使用干膜抗蚀剂代替金属掩膜作为厚膜树脂掩膜的方法。该树脂掩膜最终被剥离、去除,作为用于剥离、去除等清洗的清洗剂,已知有包含碱剂与水的树脂掩膜剥离用清洗剂。
例如,在日本特开2007-254555号公报(专利文献1)中,作为能够在短时间内剥离、清洗液晶显示器用滤色器基板上的彩色抗蚀剂、黑矩阵树脂、聚酰亚胺系取向膜及光间隔件等固化后光致抗蚀剂的碱性清洗剂,记载有一种含有如下成分的清洗剂组合物:选自特定的季铵盐与特定的多元羧酸盐中的一种以上、亲水性有机溶剂及碱性成分。并且,在实施例中,记载有一种清洗剂,其包含乙二胺四乙酸四钠2.5份、二乙二醇二乙醚5份、二乙二醇单甲醚20份、四甲基氢氧化铵10份及剩余部分的水,合计为100份。
在日本特开2015-79244号公报(专利文献2)中,作为能够兼顾促进焊料凸块的加热处理后的树脂掩膜层的去除与焊料腐蚀的抑制,且可提高焊料连接可靠性的清洗剂,记载有含有特定的季铵氢氧化物、水溶性胺、酸或其铵盐、水的树脂掩膜层用清洗剂组合物。并且,在实施例中,记载有一种清洗剂组合物,其包含四甲基氢氧化铵1质量份、单乙醇胺5质量份、甲酸铵1质量份、水85质量份、二乙二醇丁醚4质量份及二甲基亚砜4质量份。
在日本特开2006-173566号公报(专利文献3)中,作为对环境的负荷较低,即使在低温、短时间的清洗条件下,灰化后所产生的抗蚀剂残渣及来自金属布线的金属氧化产物的剥离性也优异,且对金属布线的防腐蚀性优异的剥离剂组合物,记载有一种剥离剂组合物,其中,有机胺的含量为0.2~30重量%,有机膦酸的含量为0.05~10重量%,水的含量为60~99.7重量%,且该组合物在20℃的pH值为9~13。并且,在实施例中,记载有一种剥离剂组合物,其含有1,2-丙二胺7.3重量%、1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸2.0重量%及水90.7重量%。
在WO2018/043440(专利文献4)中,记载有一种半导体元件用处理液,其含有羟胺化合物、碱性化合物、以及选自还原剂及螯合剂中的至少一种,pH值为10以上。并且,在实施例中,记载有一种处理液,其含有羟胺10.0%、四氢糠胺10%、3-甲氧基-3-甲基-1-丁醇40%、二亚乙基三胺五乙酸5.0%、5-MBTA5-甲基-1H-苯并三唑1%及剩余部分(34%)的水。
发明内容
本发明在一个方式中涉及一种清洗方法,其包含使用清洗剂组合物从附着有树脂掩膜的被清洗物剥离树脂掩膜的工序,
上述清洗剂组合物含有碱剂(成分A)、有机溶剂(成分B)、螯合剂(成分C)及水(成分D),
成分B是选自二醇醚及芳香族酮中的至少一种溶剂,
成分C是具有2个以上的选自羧基及膦酸基中的至少一种酸基的化合物,
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