[发明专利]半导体发光元件用支承基板的制造方法

说明书

本公开涉及半导体发光元件用支承基板的制造方法(METHOD OF MANUFAC TURING SUPPORTING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE)，包括如下步骤：准备形成有槽的基板；将形成通道的物质插入到基板的槽，该通道用作热通道及电通道中的至少一种；及通过施压单元而在槽的两端对上述物质施压。

技术领域

本公开(Disclosure)整体上涉及半导体发光元件用支承基板的制造方法(METHODOF MANUFACTURING SUPPORTING SUBSTRATE FOR SEMICONDU CTOR OPTICAL DEVICE)，特别地，涉及在大功率、高温及高压下进行动作的半导体发光元件用支承基板的制造方法。在此，关于半导体发光元件不作限定，代表性的例子有LED及LD。

背景技术

在此，提供本公开的背景技术，但这些并非一定是公知技术(This sectionprovides background information related to the present disclosure which isnot necessarily prior art)。

图1是表示韩国注册专利公报第10-1432728号中所揭示的半导体元件用基台(submount)或支承基板的一例的图，半导体元件用支承基板具备：硅基材2000，其与半导体元件300结合而进行支承；导电部15，其用于进行导通及散热；及绝缘层1600，其将导电部15和硅基材2000绝缘。近年来，随着半导体元件具有大功率化及/或集成化(小型化)的倾向，要求半导体元件用支承基板耐高温及耐高热。但是，如该例子所示，在使用硅基材2000这样的半导体物质的情况下，在大功率化(使用高电压、高电流)时在导电部15之间产生寄生静电电容，由此可发生电流的泄漏，因此存在必须要使用绝缘层1600的问题。另外，硅的熔点不高，大约为1414℃程度，在高温驱动时，难以保持稳定的物性，因与导电部15之间的热膨胀系数之差而引起裂痕等问题。另外，在该例子中，导电部15通过镀覆而形成，而镀覆金属本身具有热膨胀的问题，在窄长形状的槽14中难以稠密地形成镀覆物质，因此造成不良问题，引起后续工序的复杂性，在制造上导致费用升高，因此有必要对此进行改善。

图2至图6是表示在国际公开专利公报WO/2017/191943号中所揭示的半导体元件用支承基板的例子及半导体装置的制造方法的图。

在图2中，作为半导体元件用支承基板而具备第一基板10，第一基板10包括：第一面11及与第一面11相对的第二面12、从第一面11向第一基板10的内部延伸的槽14、及插入到槽14内而固定的嵌件33。嵌件33被用作热通道或散热通道(the rmal pass or heat-dissipating pass)及/或电通道(electrical pass)，在被用作电通道时，起到与导电部15相同的作用。槽14可通过激光钻孔(Laser Ablation)而形成，此外还可通过湿式蚀刻(Chemical Wet Etching)、干式蚀刻(Dry Etching)、喷砂(Sa nd Blasting)、超声波钻孔(Ultra Sound Drilling)等而形成。关于槽14的形状不作特别限定，可形成为圆形，其宽度优选为500nm～500μm。在宽度小于500nm的情况下，不容易将嵌件33插入，在宽度超过500μm的情况下，存在在制造过程中发生裂痕的可能性变高的问题。关于槽14的数量，在每个半导体元件上形成一个以上则足以，特别地，在被用作电通道的情况下，优选具备与半导体发光元件的电极的数量对应的数量以上的数量，槽14的间隔及深度根据制造在第一基板10上的元件的种类而不同，当然槽14可从第一面11延伸到第二面12而贯通第一基板10。