[发明专利]用于基于针对某些存储单元的指定错误率修复缺陷存储器单元的设备及方法

权利要求书

1.一种方法，其包括：

获得与多个存储器存取操作相关联的多个存储器命令，所述多个存储器存取操作的至少一部分与指定错误率相关联；

部分基于所述指定错误率产生用于所述多个存储器存取操作的存储器地址映射；及

向存储器单元的存储器数据寄存器提供所述存储器地址映射，所述存储器数据寄存器可由所述存储器单元存取以用于修复所述存储器单元的区。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

基于所述存储器地址映射存取所述存储器单元的第一区以实施所述多个存储器命令中的至少一个存储器命令，存储器的所述第一区的特征在于针对所述多个存储器存取操作的至少所述部分的所述指定错误率；及

存取存储器单元的第二区以实施所述多个存储器命令中的另一存储器命令。

3.根据权利要求1所述的方法，其中可由所述存储器单元存取的存储器数据寄存器对应于所述存储器单元的寄存器或本地高速缓存。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述指定错误率对应于用于存储神经网络的权重的阈值错误率。

5.根据权利要求4所述的方法，其中用于存储所述神经网络的所述权重的所述阈值错误率是基于所述神经网络的位翻转容忍度。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

获得与所述多个存储器存取操作相关联的存储器存取模式，所述存储器存取模式指示所述存储器单元的哪些区比所述存储器单元的其它区更频繁地被存取；

在所述存储器地址模式中，将与比所述存储器单元的其它区更频繁地被存取的所述存储器单元的所述区相关联的存储器地址的第一部分识别为所述存储器地址映射的高优先级；及

在所述存储器地址模式中，将不与比所述存储器单元的其它区更频繁地被存取的所述存储器单元的所述区相关联的存储器地址的第二部分识别为所述存储器地址映射的低优先级。

7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：

在作为所述高优先级的存储器地址的所述第一部分中，识别所述存储器地址的所述第一部分的每一存储器地址的最高有效位；及

在所述存储器地址映射中，将存储器地址的所述第一部分的每一存储器地址与所述存储器地址的存储器识别符对准。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述存储器识别符对应于所述存储器单元的页面或所述存储器单元的块。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元对应于DRAM、SRAM、NAND、电阻式存储器或相变存储器或其任一组合中的至少一者。

10.一种设备，其包括：

存储器阵列，其包括多个存储器单元，所述多个存储器单元包含至少一个缺陷存储器单元，每一缺陷存储器单元具有缺陷存储器地址；

寄存器，其经配置以存储存储器地址映射，所述存储器地址映射包含多个存储器地址并指示所述多个存储器地址中的哪些与高优先级相关联以及哪些与低优先级相关联；

存储器控制器，其耦合到所述存储器阵列且经配置以：

向所述维修寄存器提供所述存储器地址映射；

将所述缺陷存储器单元的所述缺陷存储器地址与所述存储器地址映射进行比较；及

修复与所述高优先级相关联的所述存储器地址及与所述低优先级相关联的所述存储器地址中的一些；及

熔丝电路，其经配置以存储所述缺陷存储器地址。

11.根据权利要求10所述的设备，其中所述熔丝电路包括：

多个熔丝元件，其各自对应于所述缺陷地址的多个位中的位。

12.根据权利要求10所述的设备，其中所述存储器控制器进一步经配置以：

识别存储在所述熔丝电路中的缺陷存储器地址。