[发明专利]涂布方法和涂布装置

说明书

一种涂布方法，是向基板供给处理液并通过旋涂法来在基板上涂布上述处理液的涂布方法，在所述涂布方法中，在上述处理液的供给开始的同时或者晚于上述处理液的供给开始地将表面张力比上述处理液的表面张力小的上述处理液的溶剂与上述处理液混合地供给到上述基板。

技术领域

本公开涉及一种涂布方法和涂布装置。

背景技术

专利文献1中记载有以下的抗蚀剂涂布方法，该抗蚀剂涂布方法包括：溶剂供给工序，向大致静止的基板的大致中心上供给溶剂；第一工序，在上述溶剂供给工序之后，一边向上述基板的大致中心上且上述溶剂上供给抗蚀液，一边使上述基板以第一转速旋转；第二工序，在上述第一工序之后，使上述基板以比上述第一转速低的第二转速旋转；以及第三工序，在上述第二工序之后，使上述基板以比上述第一转速低且比上述第二转速高的第三转速旋转。另外，在专利文献1中记载有在涂布抗蚀液之前通过稀释剂等溶剂在基板上进行预湿以实现抗蚀剂的节省。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-207788号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开所涉及的技术在对基板涂布以抗蚀液为代表的各种处理液来形成涂布膜时抑制所需的处理液的量。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式是向基板供给处理液并通过旋涂法来在基板上涂布所述处理液的涂布方法，在所述涂布方法中，在所述处理液的供给开始的同时或者晚于所述处理液的供给开始地将表面张力比所述处理液的表面张力小的所述处理液的溶剂与所述处理液混合地供给到所述基板。

发明的效果

根据本公开，能够在对基板涂布以抗蚀液为代表的各种处理液来形成涂布膜时抑制所需的处理液的量。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式所涉及的涂布装置的结构的概要的纵截面的说明图。

图2是示意性地表示图1的涂布装置的结构的概要的横截面的说明图。

图3是表示以往的预湿处理方式的涂布方法中的抗蚀液和溶剂的喷出速率的随时间变化的曲线图。

图4是表示其它方式的涂布方法中的抗蚀液和溶剂的喷出、混合速率的随时间变化的曲线图。

图5是表示实施方式所涉及的涂布方法中的抗蚀液和溶剂的混合速率的随时间变化的曲线图。

图6是表示在实施方式所涉及的涂布方法中改变了溶剂的种类时的膜厚的分布的说明图。

图7是表示在实施方式所涉及的涂布方法中改变了溶剂的种类时的抗蚀剂节省特性的表。

图8是表示其它实施方式所涉及的涂布方法中的抗蚀液与溶剂的混合速率的随时间变化的曲线图。

图9是表示其它实施方式所涉及的涂布方法中的抗蚀液与溶剂的混合速率的随时间变化的曲线图。

图10是表示其它实施方式所涉及的涂布方法中的抗蚀液与溶剂的混合速率的随时间变化的曲线图。

具体实施方式

以往以来，在半导体器件的制造工艺的光刻工序中，针对基板例如半导体晶圆(下面有时称为“晶圆”。)进行以下处理：通过旋涂法在晶圆上涂布用于形成图案的抗蚀液，来在晶圆的表面形成抗蚀膜。在该情况下，为了抑制高价的抗蚀液的消耗来实现抗蚀剂的节省，在供给抗蚀液之前对晶圆的表面进行使作为抗蚀液的溶剂的稀释剂扩散于晶圆的整个表面的预湿处理(专利文献1)。