[发明专利]具有粗糙材料填充物的集成组合件及形成集成组合件的方法

权利要求书

1.一种结构，其包括：

开口，其延伸到集成配置中，所述开口具有侧壁；及

材料，其位于所述开口内；所述材料经配置以产生相对于所述侧壁的波状构形；所述波状构形具有由平均粗糙度参数R_mean特性化的表面粗糙度，所述R_mean是沿所述波状构形的平均峰谷距离；所述R_mean是至少约4nm。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述材料是第一材料，且所述结构进一步包括位于所述开口内且沿所述波状构形的至少一部分的第二材料；所述第二材料在组成上不同于所述第一材料。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料包含由所述第二材料至少部分包围的至少一个离散颗粒。

4.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料是绝缘材料。

5.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料是导电材料。

6.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料是半导电材料。

7.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料包含一或多种金属。

8.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料包含一或多种金属与硼、碳、硅、锗、氮及氧中的一或多者的组合。

9.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料包含Cu、Al、Ag、Au、W、Ti及Fe中的一或多者。

10.根据权利要求9所述的结构，其中所述第二材料包含一或多个氮化钛、氮化硅、氧化铝、钨、二氧化硅及半导体材料。

11.根据权利要求2所述的结构，其中所述第二材料包含一或多个Ti、W及Si。

12.根据权利要求11所述的结构，其中所述第二材料进一步包含O及N中的一或两者。

13.根据权利要求2所述的结构，其中所述第一材料包括Si及Ge中的一或两者。

14.根据权利要求13所述的结构，其中所述第一材料进一步包含选自由B、P及As组成的群组的一或多个额外成分；其中所述额外成分在所述第一材料内的总浓度在从约0.5at％到约5at％的范围内。

15.根据权利要求2所述的结构，其中所述表面粗糙度还由最大粗糙度参数R_max特性化，所述R_max是沿所述波状构形的最大峰谷距离；且其中所述R_max是至少约10nm。

16.根据权利要求2所述的结构，其中所述R_mean是至少约10nm。

17.根据权利要求2所述的结构，其中所述R_mean是至少约20nm。

18.根据权利要求2所述的结构，其中所述R_mean是至少约50nm。

19.根据权利要求2所述的结构，其中所述集成配置包括交替绝缘层级及导电层级的垂直堆叠，且其中所述开口延伸穿过所述堆叠。

20.根据权利要求19所述的结构，其中所述开口由绝缘衬层内衬，且其中所述第一材料及所述第二材料位于所述具内衬开口内。