[发明专利]具有粗糙材料填充物的集成组合件及形成集成组合件的方法

说明书

一些实施例包含一种具有延伸到集成配置中的开口的结构。第一材料位于所述开口内且经配置以产生相对于所述开口的侧壁的波状构形。所述波状构形具有由平均粗糙度参数R_mean特征化的表面粗糙度，所述R_mean是沿所述波状构形的平均峰谷距离。所述R_mean是至少约4nm。第二材料位于所述开口内且沿所述波状构形的至少一部分。所述第一材料及所述第二材料在组成上彼此不同。一些实施例包含集成组合件。一些实施例包含形成集成组合件的方法。

相关专利数据

本申请案涉及2019年8月16日申请的标题为“具有粗糙材料填充物的集成组合件及形成集成组合件的方法(Integrated Assemblies Having Rugged Material Fill,andMethods of Forming Integrated Assemblies)”的序列号为16/542,645的美国专利申请案，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

集成组合件(例如集成NAND(“与非”)组合件)及形成集成组合件的方法。本公开涉及具有在缝隙(沟槽)及/或其它开口内的粗糙材料填充物的组合件。

背景技术

存储器提供电子系统的数据存储。快闪存储器是一种类型的存储器且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储于快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器来替换常规硬盘驱动器变得越来越常见。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很受欢迎，因为随着无线电子装置变得标准化，其使制造商能够支持新通信协议，且提供远程升级装置以增强特征的能力。

NAND可为快闪存储器的基本架构且可经配置以包括垂直堆叠存储器单元。

在具体描述NAND之前，更一般地描述集成布置内的存储器阵列的关系可为有帮助的。图1展示现有技术装置1000的框图，装置1000包含具有布置成行及列的多个存储器单元1003的存储器阵列1002及存取线1004(例如用于传导信号的字线WL0到WLm)及第一数据线1006(例如用于传导信号的位线BL0到BLn)。存取线1004及第一数据线1006可用于使信息来回传送于存储器单元1003。行解码器1007及列解码器1008解码地址线1009上的地址信号A0到AX以确定将存取哪些存储器单元1003。感测放大器电路1015操作以确定从存储器单元1003读取的信息的值。I/O电路1017在存储器阵列1002与输入/输出(I/O)线1005之间传送信息的值。I/O线1005上的信号DQ0到DQN可表示从存储器单元1003读取或写入到存储器单元1003中的信息的值。其它装置可通过I/O线1005、地址线1009或控制线1020来与装置1000通信。存储器控制单元1018用于控制对存储器单元1003执行的存储器操作，且利用控制线1020上的信号。装置1000可分别接收第一供应线1030及第二供应线1032上的供应电压信号Vcc及Vss。装置1000包含选择电路1040及输入/输出(I/O)电路1017。选择电路1040可经由I/O电路1017来响应信号CSEL1到CSELn以选择第一数据线1006及第二数据线1013上可表示从存储器单元1003读取或编程到存储器单元1003中的信息的值的信号。列解码器1008可基于地址线1009上的A0到AX地址信号来选择性启动CSEL1到CSELn信号。选择电路1040可选择第一数据线1006及第二数据线1013上的信号以在读取及编程操作期间提供存储器阵列1002与I/O电路1017之间的通信。