[发明专利]接合底材与金属层的接合体在审
申请号: | 202080048338.8 | 申请日: | 2020-04-03 |
公开(公告)号: | CN114270483A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 林田英德;松尾英志;広山幸久;林田洋之 | 申请(专利权)人: | 株式会社世界金属 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H05K3/18;H05K3/24;H05K3/38 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 孙雪;张淑珍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 金属 | ||
本发明提供一种接合底材与金属层的接合体,当将金属层接合于接合底材时,该金属层的贴紧力较强,其贴紧力的偏差也较小,而且能够以较低成本实现接合。即,本发明为将金属层(5)借由形成于接合底材(1)的接合面的中间层覆盖膜(2)接合于接合底材(2)的接合底材(1)与金属层(5)的接合体,中间层覆盖膜(2)被熔接于接合底材(1)的接合面,同时在中间层覆盖膜(2)中分散埋入有通过锚定效果接合金属层(5)的锚形成物(3),锚形成物(3)的一部分从中间层覆盖膜(2)向外突出,同时被熔接于中间层覆盖膜(2),金属层(5)被接合于中间层覆盖膜(2)的表面及从中间层覆盖膜(2)向外突出的锚形成物(3)的表面。
技术领域
本发明涉及一种接合底材与金属层的接合体,更详细而言,涉及一种在接合底材表面上接合有贴紧力较强的金属层的接合底材与金属层的接合体。
背景技术
作为在陶瓷等的底材上接合金属层的现有技术,在陶瓷板的表面上喷镀对陶瓷具有扩散性的金属,例如喷镀Ti、Cr金属后在其上进一步层叠Cu,之后在其上通过实施镀层等形成金属层,虽然已周知这样的技术,但是作为其他技术,还存在以下专利文献1~7所记载的发明。
专利文献1、2所记载的发明为如下方法,在氧化铝陶瓷板上压接铜板,真空中将铜板加热至熔点附近后进行接合。
专利文献3所记载的发明为如下方法,在陶瓷板与铜板之间涂布活性金属(Ag-Cu-Ti)粉末或者夹进薄片,真空中进行加压、加热、接合。
专利文献4所记载的发明是如下方法,将氧化铝陶瓷材浸渍于单独NaOH或者NaOH+KOH的熔融盐浴中,在对表面实施过度粗糙化之后,通过实施非电解镀层、金属镀层而形成金属层。
专利文献5所记载的发明为如下方法(HTCC),在陶瓷板上印刷W、Cu-W、Mo-Mn浆料,之后在还原环境中进行高温烧结,之后通过实施镀层等而形成金属层。
专利文献6所记载的发明为如下方法(LTCC),在玻璃类陶瓷上印刷并烧结Ag、Ag-Pd、Cu浆料,之后通过实施镀层等而形成金属层。
专利文献7所记载的发明为如下方法,在陶瓷上形成含有Ti的镀层,之后通过热处理使镀层中的Ti扩散到陶瓷中而得到贴紧力。
在上述陶瓷等底材上接合金属皮膜的现有技术中存在下述问题。
(1)陶瓷与金属皮膜间的贴紧较弱。
(2)贴紧力存在较大偏差。
(3)接合成本较高。
(4)接合覆盖膜的技术难度非常高。
(5)覆盖膜接合需要高价的设备。
专利文献
专利文献1:美国专利3766634号说明书
专利文献2:美国专利3994430号说明书
专利文献3:日本国特开平1-181499号公报
专利文献4:日本国特开平3-2833号公报
专利文献5:日本国特开昭61-58296号公报
专利文献6:日本国特开昭61-170094号公报
专利文献7:日本国专利第2778143号公报
发明内容
本发明是基于这样的问题而进行的,所要解决的技术问题是提供一种接合底材与金属层的接合体,当将金属层接合于接合底材时,该金属层的贴紧力较强,其贴紧力的偏差也较小,而且能够以较低成本实现接合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造