[发明专利]发光元件、发光元件的制造方法以及显示装置

权利要求书

1.一种发光元件，所述发光元件包括：

第一半导体层和第二半导体层；

活性层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；

绝缘膜，围绕至少所述活性层的侧表面；以及

波长转换材料，设置在所述绝缘膜的至少一部分上，

其中，发射到外部的光和从所述活性层发射的光具有不同的中心波段。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述活性层发射第一光，所述第一光的中心波段是第一波长，并且

所述波长转换材料将所述第一光转换成第二光，所述第二光的中心波段是第二波长。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，其中所述波长转换材料设置在所述绝缘膜上的区域至少与所述活性层叠置。

4.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一光的所述中心波段在450nm至495nm的范围内，并且

所述波长转换材料包括量子点材料。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述第二光的所述中心波段在495nm至570nm或620nm至750nm的范围内。

6.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层沿着第一方向顺序地设置，并且

从所述波长转换材料发射的光的至少一部分在与所述第一方向不同的方向上行进。

7.根据权利要求6所述的发光元件，所述发光元件还包括设置在所述绝缘膜上并使入射光散射的散射体。

8.根据权利要求6所述的发光元件，所述发光元件还包括设置在所述第二半导体层上的电极层，

其中，所述绝缘膜围绕所述电极层的外表面的至少一部分。

9.根据权利要求2所述的发光元件，所述发光元件还包括结合到所述绝缘膜的配体，

其中，所述波长转换材料结合到所述配体。

10.一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：

准备下基底和半导体棒，所述半导体棒形成在所述下基底上并且包括半导体晶体和形成在所述半导体晶体的外表面上的绝缘膜；以及

在所述绝缘膜上形成波长转换材料并将所述半导体棒与所述下基底分离。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述半导体晶体包括第一半导体层和第二半导体层以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的活性层，并且

从所述活性层发射的光和发射到所述波长转换材料之外的光具有不同的中心波段。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在分离所述半导体棒的步骤中，在所述半导体棒与所述下基底分离之后将所述波长转换材料附着在所述绝缘膜上。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述半导体棒还包括结合到所述绝缘膜的配体，并且

所述波长转换材料结合到所述配体。

14.一种包括第一像素和第二像素的显示装置，所述第一像素和所述第二像素均包括：

基底；

第一电极，设置在所述基底上；

第二电极，设置在所述基底上并与所述第一电极间隔开；以及

发光元件，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，

其中，所述发光元件均包括：第一半导体层和第二半导体层；活性层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；绝缘膜，围绕至少所述活性层的侧表面；以及波长转换材料，设置在所述绝缘膜的至少一部分上，并且

所述发光元件包括：第一发光元件，其中，从所述活性层发射的光和发射到所述发光元件之外的光相同；以及第二发光元件，其中，从所述活性层发射的光和发射到所述发光元件之外的光具有不同的中心波段。