[发明专利]发光元件、发光元件的制造方法以及显示装置在审
申请号: | 202080048453.5 | 申请日: | 2020-06-03 |
公开(公告)号: | CN114051660A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 柳济源;金大贤;李新兴;林白铉 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/06;H01L33/00;H01L27/15 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 张逍遥;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 制造 方法 以及 显示装置 | ||
提供了发光元件、所述发光元件的制造方法和显示装置。所述发光元件包括:第一半导体层;第二半导体层;活性层,设置在第一半导体层与第二半导体层之间;绝缘膜,至少围绕活性层的侧表面;以及波长转换材料,设置在绝缘膜上的至少一部分上,其中,发射到外部的光和从活性层发射的光具有不同的中心波段。
技术领域
公开涉及发光元件、发光元件的制造方法以及显示装置。
背景技术
显示装置的重要性随着多媒体的发展而增加。因此,正在使用各种类型的显示装置,诸如有机发光显示(OLED)装置和液晶显示(LCD)装置。
诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板是包括在显示装置中以显示图像的器件。在这样的显示面板之中,发光元件可以包括在发光显示面板中,并且发光二极管(LED)的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
公开的方面提供了包括相同的活性层但发射不同的光的发光元件以及制造发光元件的方法。
公开的方面还提供了可以通过包括上述发光元件来显示各种颜色的光的显示装置。
应该注意的是,公开的方面不限于此,并且根据以下描述,在这里未提及的其它方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例,发光元件包括:第一半导体层和第二半导体层;活性层,设置在第一半导体层与第二半导体层之间;绝缘膜,围绕至少活性层的侧表面;以及波长转换材料,设置在绝缘膜的至少一部分上,其中,发射到外部的光和从活性层发射的光具有不同的中心波段。
活性层可以发射第一光,第一光的中心波段是第一波长,并且波长转换材料可以将第一光转换成第二光,第二光的中心波段是第二波长。
其中波长转换材料设置在绝缘膜上的区域可以至少与活性层叠置。
第一光的中心波段可以在450nm至495nm的范围内,并且波长转换材料可以包括量子点材料。
第二光的中心波段可以在495nm至570nm或620nm至750nm的范围内。
第一半导体层、活性层和第二半导体层可以沿着第一方向顺序地设置,并且从波长转换材料发射的光的至少一部分可以在与第一方向不同的方向上行进。
发光元件还可以包括设置在绝缘膜上并使入射光散射的散射体。
发光元件还可以包括设置在第二半导体层上的电极层,其中,绝缘膜可以围绕电极层的外表面的至少一部分。
发光元件还可以包括结合到绝缘膜的配体,其中,波长转换材料可以结合到配体。
根据公开的实施例,一种制造发光元件的方法,所述方法包括以下步骤:准备下基底和半导体棒,半导体棒形成在下基底上并且包括半导体晶体和形成在半导体晶体的外表面上的绝缘膜;以及在绝缘膜上形成波长转换材料并将半导体棒与下基底分离。
半导体晶体可以包括第一半导体层和第二半导体层以及设置在第一半导体层与第二半导体层之间的活性层,并且从活性层发射的光和发射到波长转换材料之外的光具有不同的中心波段。
在分离半导体棒的步骤中,可以在半导体棒与下基底分离之后将波长转换材料附着在绝缘膜上。
半导体棒还可以包括结合到绝缘膜的配体,并且波长转换材料结合到配体。
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