[发明专利]量测方法和相关的计算机产品

说明书

公开了一种方法，该方法包括：测量从量测目标反射的辐射，以及将经测量的辐射以分量进行分解，例如傅里叶分量或空间分量。此外，公开一种方案选择方法，其提供一种用于基于基于单分量的经测量的辐射的重新计算的相关性来选择量测设备的参数的算法。

技术领域

本发明涉及一种可以用于量测的方法和计算机产品，该量测例如可用在设备通过光刻技术而进行的制造中。

背景技术

光刻设备是将所需图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(或者称为掩模或掩模版)可以用于生成要在IC的一个单独的层(an individual layer)上形成的电路图案。此图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或若干个管芯的部分)上。图案的转移通常经由成像到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

在光刻工艺(即，对涉及光刻曝光的装置或其它结构进行显影的工艺，其通常可以包括一个或多个相关联的处理步骤，诸如抗蚀剂的显影、蚀刻等)中，经常期望对所创建的结构进行测量，例如，用于工艺控制和验证。用于进行这种测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，以及用于测量套刻精度(overlay)、衬底的两层的对准精度的专用工具。最近，已经开发了各种形式的散射计以用在光刻领域中。这些装置将辐射束引导到目标上并且测量被散射的辐射的一个或多个性质，例如，作为波长的函数的单个反射角处的强度；作为反射角的函数的一个或多个波长处的强度；或者作为反射角的函数的偏振，以获得“光谱”，其中从该光谱可以确定目标的感兴趣特性。感兴趣的属性的确定可以通过各种技术来执行：例如，通过迭代方法(诸如严格耦合波分析或有限元方法)重建目标结构；文库搜索；以及主成分分析。

发明内容

在量测应用中，例如在套刻精度量测中，来自源的辐射撞击在包括重叠的光栅的目标上，并且在传感器上检测被反射的辐射。被反射的辐射是入射辐射的各个部分在传播(反射或透射)通过量测目标时的组合结果。在存在光栅不对称性(例如光栅几何不对称性)的情况下，被反射的辐射还包含关于这些不对称性的信息，这可能由于重叠的光栅之间的套刻而掩盖信息。此外，实际的光栅可能具有诸如倾斜的不对称性。可能希望能够以如下的方式测量光刻工艺的套刻精度或任何其它感兴趣的参数：该套刻精度或任何其它感兴趣的参数对在实际量测光栅中存在的不对称性是不变的。

在本发明的第一方面中，提供了一种方法，包括：测量从量测目标反射的辐射，并且将经测量的辐射以分量进行分解。

在本发明的第二方面中，提供了一种测量光刻工艺的参数的方法，包括：a)利用辐射照射量测目标，b)检测来自目标的经散射的辐射，c)改变量测设备的参数，d)针对量测设备的参数的多个值重复步骤a)至c)，以及e)将辐射分解成分量。

在本发明的第三方面中，提供了一种测量光刻工艺的参数的方法，包括：a)利用辐射照射量测目标；b)检测来自目标的经散射的辐射；c)改变量测设备的参数；d)针对量测设备的参数的多个值重复步骤a)至c)；e)将滤波器应用于在步骤d)中获得的测量结果。

在本发明的第四方面中，提供了一种表征光刻工艺的方法，包括：在第一目标位置处获得底部光栅的3D非对称图，重复获得多个目标的3D非对称图，以及基于上述测量结果获得用于晶片的目标非对称图。

在本发明的第五方面中，提供了一种用于选择量测设备的参数的方法，包括：在量测设备的参数的多个第一值处获得多个第一测量结果；以及计算最小第二数目的测量结果和量测设备的参数的与其相关联的第二值，使得量测设备的参数的第二值小于量测设备的参数的第一值。

本发明的另一方面包括用于执行第一方面的方法的计算机程序和相关联的计算机程序载体。

附图说明

现在将参照附图仅以示例的方式描述本发明的实施例。