[发明专利]具有减少的等离子体电弧的处理腔室

权利要求书

1.一种处理腔室，包括：

腔室主体；

基板支撑件，定位在所述腔室主体中；以及

盖组件，位于所述腔室主体上方并且限定所述腔室主体内的处理容积；所述盖组件包括：

面板；

电极，位于所述面板与所述腔室主体之间；以及

绝缘构件，从所述电极径向向内定位，位于所述电极和所述处理容积之间，以及所述面板与所述腔室主体之间。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述盖组件进一步包括：

绝缘环，定位在所述面板与所述腔室主体之间。

3.如权利要求2所述的处理腔室，其中所述绝缘构件进一步定位在所述绝缘环与所述处理容积之间。

4.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包括衬垫，所述衬垫定位在所述腔室主体的表面上，并且其中所述绝缘构件与所述衬垫分离。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述绝缘构件包括陶瓷。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述绝缘构件包括连续的环。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述绝缘构件的厚度在约1mm至约7mm的范围内。

8.一种用于处理系统的盖组件，所述盖组件包括：

面板；

电极，设置在所述面板与所述处理系统的腔室主体之间；以及

绝缘构件，从所述电极径向向内之间定位。

9.如权利要求8所述的盖组件，进一步包括：

绝缘环，设置在所述面板与所述电极之间。

10.如权利要求8所述的盖组件，其中所述绝缘构件进一步从所述绝缘环径向向内定位，并且与所述电极和所述绝缘环分离一间隙。

11.如权利要求8所述的盖组件，其中所述绝缘构件包括陶瓷。

12.如权利要求8所述的盖组件，其中所述绝缘构件包括连续的环。

13.如权利要求8所述的盖组件，其中所述绝缘构件的厚度在约1mm至约7mm的范围内。

14.一种处理腔室，包括：

腔室主体；

基板支撑件，位于所述腔室主体中，所述基板支撑件包括第一电极；以及

盖组件，定位于所述腔室主体上方，并且限定所述腔室主体内的处理容积，所述盖组件包括：

面板；

第二电极，定位于所述面板和所述腔室主体之间；以及

绝缘构件，从所述第二电极径向向内定位，位于所述第二电极和所述处理容积之间，并且位于所述面板与所述腔室主体之间。

15.如权利要求11所述的处理腔室，其中所述盖组件进一步包括：

绝缘环，定位在所述面板与所述腔室主体之间，并且其中所述绝缘构件进一步定位在所述绝缘环与所述处理容积之间。