[发明专利]具有减少的等离子体电弧的处理腔室

说明书

处理系统包括腔室主体、基板支撑件和盖组件。所述基板支撑件位于所述腔室主体中并且包括第一电极。所述盖组件定位在腔室主体上方并限定处理容积。所述盖组件包括面板、定位于所述面板和所述腔室主体之间的第二电极、以及定位于所述第二电极和所述处理容积之间的绝缘构件。电源系统耦接所述第一电极和所述面板，并且设置为在所述处理容积中生成等离子体。

技术领域

本文描述的实施例关于半导体制造设备和方法。具体而言，本文描述的实施例关于用于半导体基板的等离子体处理腔室。

背景技术

许多处理系统运用盖组件，所述盖组件包括定位在处理系统的腔室主体上的一个或多个绝缘环与一个或多个电极的堆叠。在处理期间，沉积材料可堆积在绝缘环、电极上和/或电极与绝缘环之间的间隙中。随着沉积材料的厚度增加，局部化的高电场增加，导致腔室主体内部有电弧。例如，在处理系统内经历处理的基板的表面上累积的电荷可以电弧放电(arc)至在电极和绝缘环之间的间隙附近所沉积的材料。因此，在处理腔室内发生电弧。电弧可能会有害地影响基板处理，造成处理腔室脱机停机。因此，处理系统的停工时间增加，且生产率降低。

因此，需要具有减少的电弧的改进的处理系统。

发明内容

在一个示例中，一种处理系统包括腔室主体、设置在所述腔室主体中的基板支撑件、和设置在所述腔室主体上方并且限定处理容积的盖组件。所述盖组件包括面板、电极、和绝缘构件。所述绝缘构件定位于所述电极和所述处理腔室的处理容积之间。进一步，所述电极定位在所述面板与所述腔室主体之间。

在一个实施例中，一种用于处理系统的盖组件包括面板、电极、绝缘环、和绝缘构件。所述绝缘构件定位在所述电极和所述绝缘环与所述处理系统的处理容积之间。所述电极定位于所述面板和所述处理系统的腔室主体之间。

在一个实施例中，一种处理腔室包括腔室主体、基板支撑件、和盖组件。所述基板支撑件位于所述腔室主体中并且包括第一电极。所述盖组件位于所述腔室主体上方，并且限定所述腔室主体内的处理容积。所述盖组件包括面板、定位于所述面板和所述腔室主体之间的第二电极、以及绝缘构件。所述绝缘构件定位在所述第二电极和所述处理容积之间。

附图说明

为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可以通过参考实施例(其中一些在附图中说明)而对上文简要总结的本公开进行更特定的描述。然而，应注意附图仅说明本公开的典型实施例，且因此不应视为是对本公开的范围的限制，因为本公开可允许其他等效的实施例。

图1是根据一个实施例的处理系统的示意性剖面图。

图2A是根据一个实施例的处理系统的一部分的示意性剖面图。

图2B是根据一个实施例的绝缘构件的仰视平面图。

图3是根据一个实施例的处理系统的示意性剖面图。

图4是根据一个实施例的处理系统的一部分的示意性剖面图。

为助于理解，尽可能使用相同的附图标记来指示附图中公共的相同组件。考虑一个实施例中公开的组件可在没有特定记载的情况下有利地运用于其他实施例。

具体实施方式

本文描述的实施例提供一种用于处理半导体基板的设备。在许多实例中，当处理基板时，一层或多层材料沉积在基板的表面上，并且也沉积在处理系统的其他表面上。例如，材料可沉积在盖组件的电极、盖组件的绝缘环和/或电极与绝缘环之间的间隙上。随着时间流逝，在处理腔室的各表面上的沉积的材料的厚度增加，从而增加在处理腔室内发生电弧的可能性。电弧会对基板处理和/或硬件部件产生不利的影响，而增加了报废基板与维修停工时间的频率。再者，使相对应的处理系统脱机停机造成处理系统的生产率降低以及相对应的生产成本增加。