[发明专利]接合装置和接合方法在审
申请号: | 202080051936.0 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN114127907A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 大森阳介;菅川贤治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/48;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 装置 方法 | ||
实施方式所涉及的接合装置(41)具备保持部(111、211)、变形部(114、213)以及控制部(70a)。保持部(111、211)保持要被接合的基板(W1、W2)。变形部(114、213)使被保持于保持部(111、211)的基板(W1、W2)的中央部相对于基板(W1、W2)的外周部突出。控制部(70a)基于基板(W1、W2)的厚度、基板(W1、W2)的温度以及未被保持于保持部(111、211)的状态下的基板(W1、W2)的翘曲中的至少一方,针对每个基板(W1、W2)调整通过变形部(114、213)使基板(W1、W2)突出的突出量。
技术领域
本公开涉及一种接合装置和接合方法。
背景技术
在专利文献1中公开了一种将基板彼此接合的接合装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-5219号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种使基板的接合精度提高的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的接合装置具备保持部、变形部、以及控制部。保持部保持要被接合的基板。变形部使被保持于保持部的基板的中央部相对于基板的外周部突出。控制部基于基板的厚度、基板的温度以及未被保持于保持部的状态下的基板的翘曲中的至少一方,针对每个基板调整通过变形部使基板突出的突出量。
发明的效果
根据本公开,能够使基板的接合精度提高。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图(其1)。
图2是表示实施方式所涉及的接合系统的结构的示意图(其2)。
图3是实施方式所涉及的传送部的结构的示意图。
图4是表示实施方式所涉及的接合装置的局部结构的示意图。
图5是表示实施方式所涉及的第一吸盘部和第二吸盘部的结构的示意图。
图6是表示实施方式所涉及的第二基板弯曲了的状态的示意图。
图7是说明实施方式所涉及的接合处理的流程图。
图8是表示在实施方式所涉及的接合处理中使第一基板和第二基板弯曲了的状态的图。
具体实施方式
下面,参照附图来详细地说明本申请公开的接合装置和接合方法的实施方式。此外,并不通过以下所示的实施方式来限定所公开的接合装置和接合方法。
在以下参照的各附图中,为了使说明易于理解,有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向并将Z轴正方向设为铅垂向上方向的正交坐标系。X轴方向和Y轴方向为水平方向。下面,有时将Z轴正方向设为上方、将Z轴负方向设为下方来进行说明。
接合系统的结构
参照图1和图2来说明实施方式所涉及的接合系统1。图1是表示实施方式所涉及的接合系统1的结构的示意图(其1)。图2是表示实施方式所涉及的接合系统1的结构的示意图(其2)。
接合系统1通过将第一基板W1和第二基板W2接合来形成重合基板T。
第一基板W1和第二基板W2例如为在硅晶圆、化合物半导体晶圆等半导体基板形成有多个电子电路的基板。第一基板W1和第二基板W2为圆形,直径大致相同。此外,第一基板W1和第二基板W2中的一方例如可以为未形成电子电路的基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造