[发明专利]着脱装置

说明书

本发明提供一种着脱装置，其利用静电吸盘方式，且即便为厚度薄的工件，工件着脱的响应性也优异。一种着脱装置，能够进行工件的吸附与脱离，其特征在于，所述着脱装置包括：可加工陶瓷层；密接活化层，设置于所述可加工陶瓷层上；电极层，设置于所述密接活化层上；以及介电质层，设置于所述电极层上，所述电极层由所述密接活化层与所述介电质层被覆，且所述介电质层的体积电阻率为10⁹Ω·cm～10¹²Ω·cm。

技术领域

本发明涉及一种能够进行工件的吸附与脱离(有时将这些统称为着脱)的着脱装置，详细而言，涉及一种在工件的着脱时的响应性优异、特别是对厚度薄的工件的处理而言优选的着脱装置。

背景技术

作为使工件着脱的着脱装置，已知有利用真空抽吸的真空吸盘、利用静电吸附力的静电吸盘等，它们根据使用环境及工件的种类而区分使用。

即，真空吸盘方式不仅吸附保持力优异，而且工件着脱的响应性(responsivity)也优异，因此利用真空吸盘方式的工件的着脱装置通常受到广泛利用。然而，于在真空环境中对工件进行处理那样的情况下，原本便无法通过真空抽吸来保持工件。另外，若如引线框架或掩模那样在工件自身中具有孔或间隙，则也无法进行真空抽吸。此外，在如膜或箔那样为厚度薄的工件的情况下，有工件在抽吸部位挠曲、抽吸痕迹残留于工件等之虞，因此真空吸盘方式并不适合。

另一方面，在无法应用真空吸盘方式的真空环境下或者为开孔的工件那样的情况下，适合应用静电吸盘方式。例如，已知有一种在基底构件上包括埋设有一对电极的绝缘材料，且利用静电吸附力吸附保持半导体芯片或绝缘膜的着脱装置(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2006-156550号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在制造如智能手机、穿戴式终端等那样经薄型化、高性能化的电子设备时，不仅是如引线框架那样的搭载零件及其材料，也包括如金属掩模那样的与制造相关的构件在内，这些的轻薄短小化正在日益发展。因此，就此种观点而言，也可谓利用静电吸盘方式进行的工件搬送的需求在增加。

然而，在利用静电吸盘方式的着脱装置中，在吸附工件后进行脱离时的残留电荷成为问题。特别是在如引线框架或金属箔那样的厚度薄的工件中，即便因微量的残留电荷有时也难以进行工件的脱离(拆卸)。此种残留电荷的问题在利用等离子体蚀刻装置对硅晶片进行吸附、脱离的情况下也同样存在，例如，在将直流电压关闭(OFF)后，进行对吸附电极施加相反的电压、或者使等离子体放电等的静电消除工艺，但在如上所述的用于工件搬送装置的着脱装置中，难以进行等离子体放电，另外，考虑到工件搬送的处理速度等，在每次搬送工件时应用静电消除工艺的情况本身有时并不现实。

因此，本发明人等人对以往的课题即残留电荷的问题进行了努力研究，结果发现，通过使用包括可加工陶瓷(machinable ceramics)层、密接活化层、电极层、以及体积电阻率具有规定的值的介电质层的着脱装置，可进一步减少将向电极层施加的电压关闭后的残留电荷，即便为厚度薄的工件，也可顺利地进行工件的脱离(拆卸)，从而完成了本发明。

因此，本发明的目的在于提供一种利用静电吸盘方式的着脱装置，其适用于无法进行真空抽吸的厚度薄的工件或开孔的工件的情况等，且工件着脱的响应性优异。

解决问题的技术手段

即，本发明是一种着脱装置，能够进行工件的吸附与脱离，其特征在于，所述着脱装置包括：可加工陶瓷层；密接活化层，设置于所述可加工陶瓷层上；电极层，设置于所述密接活化层上；以及介电质层，设置于所述电极层上，所述电极层由所述密接活化层与所述介电质层被覆，且所述介电质层的体积电阻率为10⁹Ω·cm～10¹²Ω·cm。