[发明专利]激光二极管、光集成装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光集成装置，所述光集成装置包括：

基底；

第一激光二极管，在基底上以TM模(横磁模)振荡；以及

第二激光二极管，在基底上以TE模(横电模)振荡，

其中，第一激光二极管包括：

第一主体，呈圆盘的形状；以及

通孔，穿透第一主体。

2.根据权利要求1所述的光集成装置，其中，第二激光二极管包括呈圆盘的形状的第二主体，

其中，从基底的上表面到第一主体的上表面的距离与从基底的上表面到第二主体的上表面的距离相同。

3.根据权利要求1所述的光集成装置，其中，第一主体具有不均一的曲率。

4.根据权利要求1所述的光集成装置，其中，第一主体的每单位面积的通孔的面积比是不均一的。

5.根据权利要求4所述的光集成装置，其中，第一主体的每单位面积的通孔的数量是不均一的。

6.根据权利要求4所述的光集成装置，其中，第一主体的每单位面积的通孔的直径是不均一的。

7.根据权利要求1所述的光集成装置，其中，第一主体的至少一部分具有不均匀的折射率。

8.根据权利要求1所述的光集成装置，所述光集成装置还包括位于基底上的光波导，光波导位于第一激光二极管与第二激光二极管之间。

9.根据权利要求8所述的光集成装置，其中，第一主体具有不均一的曲率，

其中，第一主体的与光波导相邻的部分的曲率比第一主体的与光波导间隔开的另一部分的曲率小。

10.根据权利要求2所述的光集成装置，其中，第一主体和第二主体中的每个包括：

上包覆层和下包覆层；以及

增益介质，置于上包覆层与下包覆层之间。

11.根据权利要求1所述的光集成装置，其中，通孔的直径比发射光的波长的长度小。

12.一种以TM模振荡的激光二极管，所述激光二极管包括：呈圆盘的形状的主体，

其中，主体具有不均一的曲率。

13.根据权利要求12所述的激光二极管，其中，主体的至少一部分具有不均匀的折射率。

14.根据权利要求13所述的激光二极管，其中，主体包括：

上包覆层和下包覆层；以及

增益介质，置于上包覆层与下包覆层之间。

15.根据权利要求14所述的激光二极管，所述激光二极管还包括穿透主体的通孔。

16.根据权利要求15所述的激光二极管，其中，主体的每单位面积的通孔的面积比是不均一的。

17.根据权利要求15所述的激光二极管，其中，通孔的直径比入射光的波长的长度小。