[发明专利]激光二极管、光集成装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202080055424.1 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN114175430A 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 崔武汉;金仁普;朴弘植 申请(专利权)人: 庆北大学校产学协力团
主分类号: H01S5/40 分类号: H01S5/40;H01S5/183
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张逍遥;刘灿强
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 激光二极管 集成 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

一种光集成装置可以包括:基底;第一激光二极管,设置在基底上并且以横磁模(TM模)振荡;以及第二激光二极管,设置在基底上并且以横电模(TE模)振荡,其中,第一激光二极管包括圆盘形的第一主体以及穿透第一主体的通孔。

技术领域

发明涉及激光二极管、光集成装置及其制造方法,更具体地,涉及包括使用变换光学的激光二极管的光集成装置及其制造方法。

背景技术

变换光学是试图通过控制空间中的材料常数(例如,介电常数、透射率和折射率)的分布来任意地控制光的流动的研究领域。这已经成为纳米光学研究的新范例,并且除了基础研究,各种应用可能性也被提出。

发明内容

技术问题

本发明的目的是提供一种具有改进性能的激光二极管和光集成装置。

技术方案

根据本发明的光集成装置包括:基底;第一激光二极管,在基底上以横磁模(TM模)振荡;以及第二激光二极管,在基底上以横电模(TE模)振荡,其中,第一激光二极管可以包括:第一主体,呈圆盘的形状;以及通孔,穿透第一主体。

根据一些实施例,第二激光二极管可以包括呈圆盘的形状的第二主体,其中,从基底的上表面到第一主体的上表面的距离可以与从基底的上表面到第二主体的上表面的距离相同。

根据一些实施例,第一主体可以具有不均一的曲率。

根据一些实施例,第一主体的每单位面积的通孔的面积比可以是不均一的。

根据一些实施例,第一主体的每单位面积的通孔的数量可以是不均一的。

根据一些实施例,第一主体的每单位面积的通孔的直径可以是不均一的。

根据一些实施例,第一主体的至少一部分可以具有不均匀的折射率。

根据一些实施例,光集成装置还可以包括基底上的光波导,光波导位于第一激光二极管与第二激光二极管之间。

根据一些实施例,第一主体可以具有不均一的曲率,其中,第一主体的与光波导相邻的部分的曲率可以比第一主体的与光波导间隔开的另一部分的曲率小。

根据一些实施例,第一主体和第二主体中的每个可以包括:上包覆层和下包覆层;以及增益介质,置于上包覆层与下包覆层之间。

根据一些实施例,通孔的直径可以比发射光的波长的长度小。

在根据本发明的包括呈圆盘的形状的主体的激光二极管中,主体可以具有不均一的曲率,并且TM模和TE模可以根据主体中的折射率分布选择性地振荡。

根据一些实施例,主体的至少一部分可以具有不均匀的介电常数并且以TM模振荡。

根据一些实施例,主体可以包括:上包覆层和下包覆层;以及增益介质,置于上包覆层与下包覆层之间。

根据一些实施例,激光二极管还可以包括穿透主体的通孔。

根据一些实施例,主体的每单位面积的通孔的面积比可以是不均一的。

根据一些实施例,通孔的直径可以比入射光的波长的长度小。

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