[发明专利]双(乙基环戊二烯基)锡、化学蒸镀用原料、含有锡的薄膜的制备方法及锡氧化物薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202080056425.8 | 申请日： | 2020-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN114206890A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 高桥伸尚;水谷文一;东慎太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社高纯度化学研究所 |
| 主分类号： | C07F17/00 | 分类号： | C07F17/00;C23C14/00;C23C14/08;C23C14/14;C23C16/18;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 乙基 环戊二烯基 化学 蒸镀用 原料 含有 薄膜 制备 方法 氧化物 | ||
【权利要求书】：
1.用化学式Sn[C5H4(C2H5)]2表示的双(乙基环戊二烯基)锡,
[化学式1]
。
2.化学蒸镀用原料，其含有用下述式(1)表示的双(烷基环戊二烯基)锡或双(烷基四甲基环戊二烯基)锡作为主成分：
[化学式2]
或
在式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢或碳原子数为6以下的烷基，R3和R4各自独立地表示碳原子数为6以下的烷基。
3.根据权利要求2所述的化学蒸镀用原料，其在23℃下为液体。
4.含有锡的薄膜的制备方法，所述薄膜使用含有用下述式(1)表示的双(烷基环戊二烯基)锡或双(烷基四甲基环戊二烯基)锡作为主成分的化学蒸镀用原料，通过原子层沉积法形成：
[化学式3]
或
在式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢或碳原子数为6以下的烷基，R3和R4各自独立地表示碳原子数为6以下的烷基。
5.氧化锡(II)薄膜的制备方法，所述薄膜使用含有用下述式(1)表示的双(烷基环戊二烯基)锡或双(烷基四甲基环戊二烯基)锡作为主成分的化学蒸镀用原料，通过原子层沉积法形成：
[化学式4]
或
在式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢或碳原子数为6以下的烷基，R3和R4各自独立地表示碳原子数为6以下的烷基。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社高纯度化学研究所，未经株式会社高纯度化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080056425.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
