[发明专利]双(乙基环戊二烯基)锡、化学蒸镀用原料、含有锡的薄膜的制备方法及锡氧化物薄膜的制备方法

说明书

本发明提供以双(乙基环戊二烯基)锡为代表的、即使在低温下也具有高蒸气压的双(烷基环戊二烯基)锡或双(烷基四甲基环戊二烯基)锡，以及以这些有机锡化合物为主成分的化学蒸镀用原料，和利用使用该化学蒸镀用原料的原子层沉积法的含有锡的薄膜的制备方法。化学蒸镀用原料，含有用下述式(1)表示的双(烷基环戊二烯基)锡或双(烷基四甲基环戊二烯基)锡作为主成分。在式(1)中，R¹和R²各自独立地表示氢或碳原子数为6以下的烷基，R³和R⁴各自独立地表示碳原子数为6以下的烷基。或

技术领域

本发明涉及化学蒸镀用原料、和含有锡的薄膜的制备方法，所述化学蒸镀用原料含有可成为锡薄膜和锡氧化物薄膜的化学蒸镀前体的双(乙基环戊二烯基)锡、双(烷基环戊二烯基)锡或双(烷基四甲基环戊二烯基)锡作为主成分。

背景技术

透明导电膜由于具有高导电性和可见光区域的高透光性，所以被用作太阳能电池、平板显示器和触摸屏等包含受光元件的各种光电转换元件的电极。另外，由于在近红外区具有优异的反射吸收特性，所以也被用作热线反射膜、透明加热器、透明电磁波屏蔽体和抗静电膜等。

作为这样的透明导电膜的材料，通常使用含有锑和氟等作为掺杂剂的氧化锡(IV)(SnO₂)，含有铝、镓、铟和锡等作为掺杂剂的氧化锌(ZnO)，以及含有锡、钨和钛等作为掺杂剂的氧化铟(III) (In₂O₃)等。特别是含有锡作为掺杂剂的氧化铟(ITO)膜由于容易得到低电阻的透明导电膜，所以在工业上被广泛使用。

这样的氧化物透明导电膜的制备使用溅射法、化学蒸镀法和离子镀法等。其中，例如氧化锡或氧化锌这样的具有蒸气压较高的前体的金属氧化物的薄膜容易通过原子层沉积法(ALD法)等化学蒸镀法(CVD法)形成。

通常广泛用作锡前体的是作为4价锡化合物的四烷基锡。除了四烷基锡以外，例如作为用于锡和锡氧化物薄膜的前体，在专利文献1中公开了2价的锡络合物、锡氨基醇盐络合物。在上述锡氨基醇盐络合物中，通过使二烷基氨基与锡配位作为新的配体，不仅不会引起碳或卤素的污染，改善热稳定性和挥发性，而且即使在更低的温度下也能够容易地形成锡和锡氧化物的薄膜。

另外，在专利文献2中，作为用于锡和锡氧化物薄膜的前体，公开了双(二异丙基氨基)二甲基锡(Sn[N(ⁱPr)₂]₂Me₂)。此外，在非专利文献1中，使用2价的锡络合物、N,N'-叔丁基-1,1-二甲基乙二胺锡。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-227674号公报，

专利文献2：日本特开2018-90586号公报

非专利文献

非专利文献1：Jung-Hoon Lee, Mi Yoo, DongHee Kang, Hyun-Mo Lee, Wan-hoChoi, Jung Woo Park, Yeonjin Yi, Hyun You Kim和Jin-Seong Park, ACS AppliedMaterials Interfaces 10 (39), 33335-33342 (2018)。

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在专利文献1的锡氨基醇盐络合物中，锡原子与配体的Sn-O或Sn-N间的键合比较牢固。另外，由于上述锡氨基醇盐络合物的蒸气压在100~120℃下为10^-2torr (1.3Pa)，所以为了使用化学蒸镀法形成大面积的锡和锡氧化物薄膜，从工艺有效化的观点出发，希望进一步提高蒸气压，提高反应性。