[发明专利]具有完全对准的通孔的互连结构

权利要求书

1.一种制造互连结构的方法，所述方法包括：

在衬底的上表面上形成沿第一方向延伸的第一导电带；

在衬底上沉积层间电介质(ILD)材料以覆盖第一导电带，并蚀刻ILD材料以暴露第一导电带的上表面；

在ILD材料的上表面上形成第二导电带，使得第二导电带沿与第一方向相反的第二方向延伸且横跨第一导电带；以及

使第一导电带的位于第二导电带的相对侧上的暴露部分凹陷，同时保留第一导电带的被第二导电带覆盖的被覆盖部分，以在第一导电带与第二导电带之间形成完全对准的通孔(FAV)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，FAV包括直接接触第一导电带的上表面的第一端和直接接触第二导电带的下部的相对第二端。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，FAV的所有侧与第一导电带的相对侧和第二导电带的相对侧共面，使得FAV与第一导电带和第二导电带完全对准。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，第一导电带和第二导电带包括选自包括铜、钨、钴、铑、铂、钼及其组合的组中的金属材料。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在使第一导电带凹陷之后，第二导电带具有从FAV的第二端延伸到第二导电带的上表面的第一高度，并且第一导电带具有从衬底延伸到FAV的第一端的第二高度，第二高度小于第一高度。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，

形成第一导电带包括：在衬底的上表面上形成沿第一方向延伸的多个第一层导电带；

在衬底上沉积层间电介质(ILD)材料包括：沉积ILD材料以覆盖第一层导电带，并蚀刻ILD以暴露第一层导电带的上表面；

形成第二导电带包括：在ILD的上表面上形成多个第二层导电带，使得第二层导电带沿与第一方向相反的第二方向延伸且横跨第一层导电带；以及

使第一导电带的暴露部分凹陷包括：使第一层导电带的位于第二层导电带中的每个的相对侧上的暴露部分凹陷，同时保留第一层导电带的被第二层导电带覆盖的被覆盖部分，以在第一层导电带与第二层导电带之间形成多个全对准通孔(FAV)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，多个FAV中的每个FAV包括直接接触相应第一层导电带的上表面的第一端和直接接触相应第二层导电带的下部的相对的第二端。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，FAV的所有侧与相应第一层导电带的相对侧以及相应第二层导电带的相对侧共面，使得FAV与相应第一层导电带和相应第二层导电带完全对准。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其中，第一层导电带和第二层导电带包括选自铜、钨、钴、铑、钼、钼或它们的组合的金属材料。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中，在使第一层导电带凹陷之后，第二层导电带具有从FAV的第二端延伸到相应第二层导电带的上表面的第一高度，并且第一层导电带具有从衬底延伸到相应FAV的第一端的第二高度，第二高度小于第一高度。

11.一种互连结构，包括：

衬底上的层间电介质(ILD)，ILD具有沿第一方向延伸穿过ILD的空腔；

在衬底上形成并且在空腔内的第一导电带，第一导电带沿第一方向延伸并且横跨衬底的上表面；

在ILD的上表面上的第二导电带，第二导电带沿与第一方向相反的第二方向延伸；以及

在第一导电带与第二导电带之间延伸的完全对准的通孔(FAV)，其中，FAV的所有侧与第一导电带的相对侧和第二导电带的相对侧共面，使得FAV与第一导电带和第二导电带完全对准。

12.根据权利要求11所述的互连结构，其中，FAV包括直接接触第一导电带的上表面的第一端和直接接触第二导电带的下部的相对第二端。