[发明专利]存储器装置锁存器电路系统

权利要求书

1.一种存储器装置，其包含：

锁存器电路系统，其配置成锁存用于所述存储器装置中的数据，其中所述锁存器电路系统包含：

多个锁存器单元，其各自配置成存储所述数据的位；

写入驱动器，其包含：

输入，其配置成接收待存储于所述多个锁存器单元中的所述数据；

一对反相器，其耦合到所述输入且配置成将数据信号输出到所述多个锁存器单元的第一侧；以及

反相器，其耦合到所述输入且配置成产生到所述多个锁存器单元的第二侧的数据假信号，其中用于产生所述数据假信号的所述数据不穿过所述一对反相器；以及

产生电路系统，其经配置以产生供应到所述锁存器单元的动态电压，其中所述产生电路系统包含各自对应于所述多个锁存器单元中的锁存器单元的多个子电路，其中所述多个子电路中的每一者包含：

PMOS晶体管，其配置成选择性地将相应动态电压与电源电压解耦；

NMOS晶体管，其配置成选择性地将所述相应动态电压耦合到第二电压；以及

开关，其耦合到所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的栅极，以选择性地连接到第一极以将所述相应动态电压驱动到所述电源电压，或选择性地连接到第二极以将所述相应动态电压驱动到所述第二电压，以致使在所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管之间输出所述相应动态电压。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一侧包含所述多个锁存器单元的左侧，且所述第二侧包含所述多个锁存器单元的右侧。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管串联连接，且所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管之间的所述电压基于字线电压。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中每一锁存器单元包含：

第一存取晶体管，其经由所述多个锁存器单元的所述第一侧选择性地提供对所述锁存器单元的存取；以及

第二存取晶体管，其经由所述多个锁存器单元的所述第二侧选择性地提供对所述锁存器单元的存取。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中每一锁存器单元包含：

第一反相器，其耦合在所述第一存取晶体管与所述第二存取晶体管之间；以及

第二反相器，其耦合在所述第一存取晶体管与所述第二存取晶体管之间，其中所述第一反相器和所述第二反相器相对于所述第一存取晶体管和所述第二存取晶体管以相反定向安置。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中：

所述第一反相器包含：

第一NMOS晶体管；以及

第一PMOS晶体管，其中所述第一NMOS晶体管和所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述第一存取晶体管，且所述第一NMOS晶体管和所述第一PMOS晶体管的漏极端子耦合到所述第二存取晶体管；且

所述第二反相器包含：

第二NMOS晶体管；以及

第二PMOS晶体管，其中所述第二NMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极耦合到所述第二存取晶体管，且所述第二NMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的所述漏极端子耦合到所述第一存取晶体管。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极端子耦合到电压电源。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其包含电压晶体管，所述电压晶体管配置成至少部分地基于配置成控制经由所述第一存取晶体管和所述第二存取晶体管的存取的字线信号而选择性地将所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的源极端子耦合到电压电源。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述电压晶体管包含PMOS晶体管，所述PMOS晶体管配置成至少部分地基于所述字线信号的确证而将所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的所述源极端子与所述电压电源解耦。