[发明专利]电气或电子构件以及制造电气或电子构件的方法在审
申请号: | 202080057885.2 | 申请日: | 2020-06-25 |
公开(公告)号: | CN114269540A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | A.德尔莫塔佩特里克;Z.杰里布;L.库马尔 | 申请(专利权)人: | 科莱克特集团公司 |
主分类号: | B29C45/14 | 分类号: | B29C45/14;H01R43/18;H05K7/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
地址: | 斯洛文尼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电气 电子 构件 以及 制造 方法 | ||
1.一种制造电气或电子构件的方法,所述构件包括导体元件(2’)和塑料结构(28),其中,所述导体元件(2’)具有两个接触位置(5)和布置在这些接触位置之间的、由多个外周面(7)限定边界的纵长区段(6),并且其中,所述塑料结构(28)还与所述导体元件(2’)牢固地连接,使得所述塑料结构在与导体元件的纵长区段(6)相叠的注塑包封区段(29)内沿整个外周包裹所述导体元件,所述方法具有以下方法步骤:
(a)提供带状的金属基底(1),所述金属基底包括多个导体元件坯件(2)和使这些导体元件坯件相互连接的承载结构(4);
(b)借助一个或两个激光源(13)在所述导体元件坯件(2)的所有外周面(7)上分别在未来的导体元件(2’)的纵长区段(6)以内延伸的纹理变形区段(8)上制造多个槽形的凹陷部(9),其中,借助单个激光源(13)在至少两个彼此邻接的、形成共同的棱边(10.I)的主外周面(7.I)上制造多个槽形的凹陷部(9.I),使得多个槽形的凹陷部(9.I)不间断地连续延伸到至少两个主外周面(7.I)中;
(c)将在方法步骤(b)中被加工的导体元件坯件(2)通过截断、尤其通过冲裁与所述承载结构(4)分离;
(d)在所述注塑包封区段(29)内在所有外周面(7)上在形成塑料结构(28)的情况下,利用塑料来注塑包封在方法步骤(c)中产生的导体元件(2),其中,所述塑料结构(28)的塑料伸入到所述导体元件(2)的被塑料覆盖的多个槽形的凹陷部(9)中。
2.根据权利要求1所述的制造电气或电子构件的方法,其特征在于,这些槽形的凹陷部(9)具有5μm至50μm的深度和5μm至40μm的宽度。
3.根据权利要求2所述的制造电气或电子构件的方法,其特征在于,这些槽形的凹陷部(9)具有20μm至30μm的深度和15μm至25μm的宽度。
4.根据前述权利要求中任一项所述的制造电气或电子构件的方法,其特征在于,所述导体元件(2’)的主外周面(7.I)中的一个与另外的副外周面(7.II)在形成棱边(11、12)的情况下彼此邻接,并且在横截面视图中以小于或等于90°的角度彼此相交,其中,主外周面(7.I)的槽形的凹陷部(9.I)与副外周面(7.II)的槽形的凹陷部(9.II)在横截面视图中彼此相叠。
5.根据前述权利要求中至少任一项所述的制造电气或电子构件的方法,其特征在于,所述导体元件(2’)在纹理变形区段(8)中具有多边形的横截面或者圆弧形的横截面或者展现出多边形的和圆弧形部分的横截面。
6.根据前述权利要求中至少任一项所述的制造电气或电子构件的方法,其特征在于,这些槽形的凹陷部(9)是具有纵向槽和横向槽的网状或格状的沟槽结构的一部分。
7.根据前述权利要求中至少任一项所述的制造电气或电子构件的方法,其特征在于,在方法步骤(b)中,在所述导体元件坯件(2)的纹理变形区段(8)的所有外周面(7)上借助仅一个激光源(13)依次地制造槽形的凹陷部(9),其中,带状的金属基底(1)回环式地扭转地被导引,使得相应的导体元件坯件(2)一次以其主外周面(7.I)且再一次以其剩余的外周面(7.II)面对激光源(13)地导引经过所述激光源。
8.根据前述权利要求中至少任一项所述的制造电气或电子构件的方法,其特征在于,在方法步骤(c)中产生的导体元件(2’)在其至少一个接触位置(5)处与电气或电子功能单元相接触,所述电气或电子功能单元在实施方法步骤(d)期间至少部分地被塑料注塑包封。
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