[发明专利]场分面系统、光学布置和光刻装置

说明书

一种用于光刻装置(100A、100B)的场分面系统(300A、300B、300C、300D、300E)，包括：光学元件(302)，其中该光学元件(302)包括具有光学有效表面(304)的基座区段(308)，和配置在该基座区段(308)的背向该光学有效表面(304)的后侧(310)处的多个拉杆区段(312、312A‑312D、314、314A‑314D)；以及两个或更多个致动元件(330、330A‑330J、332)，其借助作为拉杆的该拉杆区段(312、312A‑312E、314、314A‑314E)设置成分别施加弯曲力矩(M)至该基座区段(308)，以使该基座区段(308)弹性变形，从而改变该光学有效表面(304)的曲率半径(r)，其中，沿该光学元件(302)的长度方向(y)观察，所述致动元件(330、330A‑330J、332)串联布置。

相关申请的交叉引用

通过引用将2019年6月19日申请的优先权申请DE 102019208980.1的全部内容并入本文。

技术领域

本发明关于一种场分面系统，一种包括这种场分面系统的光学布置以及一种包括这种场分面系统和/或这种光学布置的光刻装置。

背景技术

微型光刻技术用来生产微型结构部件，例如集成电路。该微型光刻处理使用具有照明系统以及投射系统的光刻装置来执行。通过照明系统所照明的掩模(掩模母版)的影像，在此案例中由投射系统投射至基板(例如硅晶片)上，该基板涂有感光层(光刻胶)并配置在投射系统的像平面内，以便将掩模结构转印至基板的感光涂层。

在集成电路生产中对越来越小结构需求的驱使之下，当前正在开发的是使用波长在0.1nm至30nm范围内、特别是13.5nm的光线的EUV(极紫外线，EUV)光刻装置。在这种EUV光刻装置的情况下，由于大多数材料对该波长的光有高吸收力，因此必须使用反射光学单元，即反射镜，而不是像以前那样使用折射光学单元，即透镜元件。该反射镜以几乎垂直入射或掠入射的方式工作。

照明系统特别包括场分面反射镜和光瞳分面反射镜，该场分面反射镜和该光瞳分面反射镜可实施为所谓的分面反射镜，其中这种分面反射镜通常具有数百个分面。该场分面反射镜的分面也称为“场分面”，而该光瞳分面反射镜的分面也称为“光瞳分面”。多个光瞳分面可指派给一个场分面。为了在高数值孔径的情况下获得良好的照明，理想的是，该一个场分面可在指派给它的光瞳分面之间切换。

由于该一个场分面可切换，因此对于每个切换位置，该一个场分面与指派给它的光瞳分面之间的距离并不相同。给定该一个场分面的固定屈光度，可根据切换位置散焦对应光瞳分面上的像。这种散焦导致限制光瞳填充度(pupil filling)的降低。在目前情况下，“光瞳填充度”在此应理解为是指辐射的表面积相对于个别光瞳分面的总光学有效表面积的比率。但是，为了获得更高的投射系统分辨率，有必要进一步降低光瞳填充度。因此，期望场分面可根据其切换位置而变形，以便至少降低或完全消除散焦。

DE 10 2017 221 420 A1描述了可变形场分面的各种实施例。该文献提出例如设置在场分面后侧上的致动元件，该致动元件向该场分面施加横向力，以使后者变形，从而改变该场分面的镜面曲率。

DE 10 2013 206 981 A1描述了可变形场分面的各种实施例。该文献提出例如在场分面后侧设置有两个间隔开的致动元件的场分面，该致动元件适合向场分面施加横向力，以使后者变形，从而改变该场分面的镜面曲率。

DE 101 51 919 A描述了一种具有光学轴线的光学元件，特别是用于半导体光刻中的曝光镜头，其中该光学元件在光学轴线方向上具有至少一个延伸部。

发明内容

在这种背景下，本发明的一个目的在于提出一种改良的场分面系统。