[发明专利]用于制造光伏电池的方法

权利要求书

1.一种用于制造光伏电池的方法，其包括以下步骤：

a)设置一结构，所述结构包括：

-基于结晶硅的衬底(1)，其具有第一表面(10)和相对的第二表面(11)；

-第一介电层(2)，其包括硼原子，并形成于所述衬底(1)的第一表面(10)上；

-隧道氧化物膜(3)，其形成于所述衬底的第二表面(11)上；

-多晶硅层(4)，其形成于所述隧道氧化物膜(3)上；

-第二介电层(5)，其包括磷和/或砷原子，并形成于所述多晶硅层(4)上；

b)对所述结构施加热处理，以便：

-使得所述硼原子自所述第一介电层(2)扩散到所述衬底(1)的第一表面(10)之下，以形成旨在与电极(E)接触的第一掺杂半导体区域(100)；

-使得所述磷和/或砷原子自所述第二介电层(5)扩散到多晶硅层(4)中，以掺杂所述多晶硅层(4)，掺杂的多晶硅层旨在与电极(E)接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)是氧化硅或氧化铝。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)是通过热方式形成于所述衬底(1)的第二表面(11)上的氧化硅。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)是通过原子层沉积形成于所述衬底(1)的第二表面(11)上的氧化铝。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述隧道氧化物膜(3)的厚度小于或等于3nm，优选地小于或等于2nm。

6.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得：

-所述隧道氧化物膜(3)是厚度小于或等于3nm、优选地小于或等于2nm的氧化铝；

-所述结构包括附加隧道氧化物膜(3’)，所述附加隧道氧化物膜形成于所述衬底(1)的第一表面(10)与第一介电层(2)之间，所述附加隧道氧化物膜(3’)是厚度小于或等于3nm、优选地小于或等于2nm的氧化铝。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述第一介电层(2)基于氮氧化硅SiOxNy，其满足0≤yx，该氮氧化硅优选地被氢化。

8.根据权利要求1至7之一所述的方法，其中，执行步骤a)，以使得所述第二介电层(5)基于氮氧化硅SiOxNy，其满足0≤xy，该氮氧化硅优选地被氢化。

9.根据权利要求1至8之一所述的方法，其中，通过对所述结构施加热退火来执行步骤b)，该热退火具有：

-850℃至950℃、优选地900℃至950℃的退火温度值，

-10分钟至1小时、优选地30分钟至1小时的退火时间值。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，所述方法包括以下步骤：在步骤b)之后，在所述第一介电层(2)上形成基于氮氧化硅SiOxNy的层(2’)，其满足0≤xy，该氮氧化硅优选地被氢化。

11.根据权利要求1至10之一所述的方法，所述方法包括在步骤b)之前，在所述第二介电层(5)上形成基于氮氧化硅SiOxNy的层(5’)，其满足0≤xy，该氮氧化硅优选地被氢化。

12.根据权利要求1至11之一所述的方法，其中，所述第一介电层和第二介电层(2、5)在步骤b)之后保留。