[发明专利]用于制造光伏电池的方法

说明书

所述方法包括以下步骤：a)设置一结构，所述结构包括：‑基于结晶硅的衬底(1)；‑第一介电层(2)，其包括硼原子，并形成于所述衬底(1)的第一表面(10)上；‑隧道氧化物膜(3)，其形成于所述衬底的第二表面(11)上；‑多晶硅层(4)，其形成于所述隧道氧化物膜(3)上；‑第二介电层(5)，其包括磷和/或砷原子，并形成于所述多晶硅层(4)上；b)对所述结构施加热处理，以便：‑使得所述硼原子扩散到所述衬底(1)的第一表面(10)之下，以形成第一掺杂半导体区域(100)；‑使得所述磷和/或砷原子扩散到多晶硅层(4)中，以掺杂所述多晶硅层(4)。

技术领域

本发明涉及光伏电池的技术领域。本发明尤其适用于制造PERT(英文为“Passivated Emitter Rear Totally-diffused”)类型的光伏电池。

背景技术

一种尤其是在文献FR 3 035 740中公开的已知的用于制造光伏电池的现有技术方法包括以下步骤：

a₀)设置一结构，所述结构包括：

-基于结晶硅的衬底，其具有第一表面和相对的第二表面；

-第一介电层，其包括硼原子，并形成于衬底的第一表面上；

-第二介电层，其包括磷和/或砷原子，并形成于衬底的第二表面上；

b₀)对结构施加热处理，以便：

-使得硼原子自第一介电层扩散到衬底的第一表面之下，以形成旨在与电极接触的第一掺杂半导体区域；

-使得磷或砷原子自第二介电层扩散到衬底的第二表面之下，以形成旨在与电极接触的第二掺杂半导体区域。

通过硼和磷/砷原子的共扩散和在步骤b₀)之后保留第一介电层和第二介电层，这种现有技术方法允许限制要执行的步骤的数量。在该方面，步骤b₀)在氧化气氛下执行，以增强结构的钝化和允许保留第一介电层和第二介电层。“钝化”指衬底的第一表面和第二表面上的电活性缺陷的中和。具体地，在光伏应用的情况中，基于结晶硅的衬底具有可能会导致与载流子的表面重组相关的不可忽略的损失的缺陷密度(例如：悬空键、杂质、晶体不连续性等缺陷的密度)。

然而，在结构的钝化方面，这种现有技术方法不完全令人满意。本领域技术人员追求改善光伏电池的性能，并且实现尽可能高的开路电压V_oc。

发明内容

本发明旨在完全或部分地弥补上述缺陷。为此，本发明的主题在于一种用于制造光伏电池的方法，其包括以下步骤：

a)设置一结构，所述结构包括：

-基于结晶硅的衬底，其具有第一表面和相对的第二表面；

-第一介电层，其包括硼原子，并形成于衬底的第一表面上；

-隧道氧化物膜，其形成于衬底的第二表面上；

-多晶硅层，其形成于隧道氧化物膜上；

-第二介电层，其包括磷和/或砷原子，并形成于多晶硅层上；

b)对结构施加热处理，以便：

-使得硼原子自第一介电层扩散到衬底的第一表面之下，以形成旨在与电极接触的第一掺杂半导体区域；

-使得磷和/或砷原子自第二介电层扩散到多晶硅层中，以掺杂多晶硅层，掺杂的多晶硅层旨在与电极E接触。