[发明专利]膜、膜的制造方法、覆金属层叠体和被覆金属导体在审

专利信息
申请号: 202080060230.0 申请日: 2020-08-24
公开(公告)号: CN114302908A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 笠井涉;细田朋也;光永敦美;寺田达也;结城创太 申请(专利权)人: AGC株式会社
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;C09D127/18;C09D179/08;B32B15/00;B32B15/082;B32B15/088;B32B27/30;B32B27/34;C08L79/08
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张佳鑫;董庆
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 制造 方法 金属 层叠 被覆 导体
【说明书】:

本发明提供耐热性优异、不易产生翘曲且粘接力高的膜及其制造方法、以及使用该膜形成的覆金属层叠体和被覆金属导体。本发明的膜具有芳族性聚酰亚胺基膜、以及分别设置在所述基膜的两面上的包含含有基于四氟乙烯的单元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的聚合物和芳族性聚合物的层。

技术领域

本发明涉及在芳族性聚酰亚胺基膜的两面上分别具有包含特定四氟乙烯类聚合物与芳族性聚合物的聚合物层的膜及其制造方法、以及使用了该膜的覆金属层叠体和被覆金属导体。

背景技术

已知一种3层结构的膜,其以聚酰亚胺膜为基膜,在其两面分别设有四氟乙烯类聚合物(TFE类聚合物)的层(参照专利文献1)。

由于聚酰亚胺为成形特性和机械性质优异的工程塑料,而TFE类聚合物的电特性和耐热性特别优异,因此该3层结构的膜可以用作印刷基板、电线被覆等高端电气·电子领域中使用的材料。

此外,专利文献2提出了由包含TFE类聚合物粉末的粉末分散液形成该膜中的层的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开2015/080260号

专利文献2:日本专利特开平09-157418号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明人为了扩展上述膜的使用形态(在回流焊接工序等高温范围内的使用等),研究了使用熔融温度高且耐热性优异的含有基于四氟乙烯的单元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的聚合物(PFA类聚合物)。在此情况下,本发明人发现由其获得的3层结构的膜存在容易翘曲且其尺寸稳定性下降的问题,以及PFA类聚合物的层和聚酰亚胺膜会发生剥离的问题。

此外,还发现该3层结构的膜与其他基材粘贴时其粘接力还不充分、特别是在高温范围内其粘接力容易下降的问题。进一步还发现,从调整上述膜中TFE类聚合物的物性(特别是电特性)的观点来看,若上述层变厚,则这些问题变得更加明显。

本发明人为了解决上述问题而进行了深入研究,结果发现,在具有芳族性聚酰亚胺基膜和PFA类聚合物层的膜中,若向PFA类聚合物层中掺合芳族性聚合物,则膜的翘曲可以得到良好抑制。此外还发现,芳族性聚合物的掺合不仅使得上述层与芳族性聚酰亚胺膜的密合性提升,还使得UV吸收性等光学物性、弯折性等机械物性之类的膜物性提升,能够获得结构自由度高的膜。

本发明基于这些发现而完成,其目的在于提供耐热性优异、不易产生翘曲且密合力高的膜及其制造方法、以及使用了该膜的覆金属层叠体和被覆金属导体。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明具有以下技术内容。

[1]一种膜,其具有芳族性聚酰亚胺基膜、以及分别设置在所述基膜的两面上的包含含有基于四氟乙烯的单元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的聚合物及芳族性聚合物的层。

[2]如[1]所述的膜,其中,所述基膜与所述层直接接触。

[3]如[1]或[2]所述的膜,其中,所述聚合物为包含基于四氟乙烯的单元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的具有极性官能团的聚合物、或包含基于四氟乙烯的单元和基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元且基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的含量相对于全部单元为2.0~5.0摩尔%的不具有极性官能团的聚合物。

[4]如[1]~[3]中任一项所述的膜,其中,所述芳族性聚合物为芳族性聚酰亚胺。

[5]如[1]~[4]中任一项所述的膜,其中,所述层的表面上存在极性官能团。

[6]如[1]~[5]中任一项所述的膜,其中,所述膜的厚度为25μm以上,2个所述层的合计厚度相对于所述基膜的厚度之比为1以上。

[7]如[1]~[6]中任一项所述的膜,其中,所述层中,所述芳族性聚合物的量相对于所述聚合物与所述芳族性聚合物的合计量为10质量%以下。

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