[发明专利]半导体激光器在审
| 申请号： | 202080060812.9 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN114402492A | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 中村考宏;黑田隆之助;秋山英文;金昌秀;伊藤隆;中前秀一 | 申请（专利权）人： | 国立研究开发法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/0625;H01S5/34;H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体激光器，具备：
光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的发光层；以及
脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对所述光谐振器注入激励能量，
其中，所述光谐振器具有被分离为增益区和吸收区的多段式结构，
所述半导体激光器以比所述光谐振器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，
所述光谐振器具有沿着振荡方向被分离为增益区和吸收区的多段式结构。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器，其特征在于，
以比所述光谐振器的光子寿命短的脉宽产生光脉冲。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的半导体激光器，其特征在于，
所述发光层具有5个周期以上的多量子阱结构。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体激光器，其特征在于，
还具备对所述吸收区施加反偏置电压的单元。
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