[发明专利]半导体激光器

说明书

一种半导体激光器，具备：光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的发光层；以及脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对光谐振器注入激励能量，其中，光谐振器具有被分离为增益区和吸收区的多段式结构，半导体激光器以比光谐振器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。

技术领域

本发明涉及一种半导体激光器。

背景技术

半导体激光器被用作光盘、光通信等的光源。例如，在专利文献1中提出了一种GaAs/AlGaAs系半导体激光器。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭59-104191号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的目的在于提供一种产生超短脉冲的半导体激光器。

用于解决问题的方案

根据本发明的一个方式，提供一种半导体激光器，

该半导体激光器具备：

光谐振器，其具有含有n型杂质的第一化合物半导体层、含有p型杂质的第二化合物半导体层以及设置于所述第一化合物半导体层与所述第二化合物半导体层之间的发光层；以及

脉冲注入单元，其以亚纳秒的时宽对所述光谐振器注入激励能量，

其中，所述光谐振器具有被分离为增益区和吸收区的多段式结构，

所述半导体激光器以比所述光谐振器的光子寿命的2.5倍短的脉宽产生光脉冲。

发明的效果

根据本发明，能够提供产生超短脉冲的半导体激光器。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体激光器10的概要结构图。

图2的(a)是本发明的第一实施方式所涉及的光谐振器20的沿着长边方向的纵截面图。图2的(b)是本发明的第一实施方式所涉及的光谐振器20的垂直于长边方向的截面图。

图3是本发明的第一实施方式所涉及的发光层23的沿着长边方向的纵截面图。

图4是对本发明的第一实施方式所涉及的光谐振器20施加的脉冲电流的示意图。

图5的(a)是表示本发明的第一实施方式的激光器振荡光谱中的时域上的增益-吸收变化的图表。图5的(b)是表示比较方式的半导体激光器的激光器振荡光谱中的时域上的增益-吸收变化的图表。

图6是表示对本发明的第一实施方式所涉及的光谐振器20施加的脉冲电流的时宽t与所产生的光脉冲的脉宽之间的关系的一例的图表。

图7的(a)是本发明的第一实施方式的变形例1所涉及的半导体激光器70的概要结构图。图7的(b)是本发明的第一实施方式的变形例1所涉及的光谐振器71的沿着长边方向的纵截面图。

图8是本发明的第一实施方式的变形例2所涉及的光谐振器80的沿着长边方向的纵截面图。

图9的(a)是本发明的第一实施方式的变形例3所涉及的光谐振器91的与长边方向平行的横截面图。图9的(b)是表示光谐振器91的一例的概要截面图(垂直于长边方向的截面图)。图9的(c)是表示光谐振器91的其它例的概要截面图(垂直于长边方向的截面图)。

具体实施方式

[本发明的实施方式的说明]发明人得到的见解

首先，说明发明人等得到的见解。