[发明专利]基板处理方法在审
| 申请号： | 202080060887.7 | 申请日： | 2020-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN114365264A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 山口贵大;鳅场真树;岩崎晃久;远藤亨;植村知浩;清原公平;宗德皓太 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;B08B3/08;B08B3/10 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;孔博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法，具备：
保持具有第1面及与所述第1面相反的第2面的基板的步骤；
对所述基板的所述第2面供给混入有含有臭氧气体的粒径50nm以下的气泡的处理液的步骤；以及
在用以进行所述基板的处理的使用点对所述处理液进行加热的步骤。
2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，保持所述基板的步骤以所述基板的所述第2面朝向下方的方式进行。
3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，对所述处理液进行加热的步骤包含从所述第1面对所述基板加热的步骤。
4.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，对所述处理液进行加热的步骤包含从所述第2面对所述基板进行加热的步骤。
5.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，对所述处理液进行加热的步骤包含从所述第1面及所述第2面同时对基板进行加热的步骤。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，供给所述处理液的步骤包含朝向所述基板的所述第2面排出所述处理液的步骤。
7.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，供给所述处理液的步骤包含使所述基板的所述第2面浸渍于储存在处理槽内的所述处理液中的步骤。
8.如权利要求7所述的基板处理方法，其中，使所述基板的所述第2面浸渍的步骤，以所述基板的所述第1面位于比所述处理液的液面更上方的方式进行。
9.如权利要求7或8所述的基板处理方法，其中，使所述基板的所述第2面浸渍的步骤包含将储存有所述处理液的处理槽密闭的步骤。
10.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述处理液包含水。
11.如权利要求10所述的基板处理方法，其中，所述处理液包含氨及过氧化氢的至少任一者。
12.如权利要求1～9中任一项所述的基板处理方法，其中，进一步具备：生成所述处理液的步骤；生成所述处理液的步骤包含将含有臭氧气体的粒径50nm以下的气泡混入包含臭氧水的水溶液的步骤。
13.如权利要求12所述的基板处理方法，其中，所述水溶液包含氨及过氧化氢的至少任一者。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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