[发明专利]基板处理方法

说明书

一种基板处理方法，具备：保持具有第1面(S1)及与第1面(S1)相反的第2面(S2)的基板(WF)的步骤；对晶圆(WF)的第2面(S2)供给混入了含有臭氧气体的粒径50nm以下的气泡的处理液的步骤；以及在用以进行基板(WF)的处理的使用点对处理液进行加热的步骤。

技术领域

本发明涉及基板处理方法，尤其涉及使用臭氧气体的基板处理方法。

背景技术

在进行了在晶圆(基板)上使用抗蚀剂膜的步骤后，在多数的情形下，该抗蚀剂膜会从基板上被去除。尤其，因为作为离子注入步骤用的注入掩膜所使用的抗蚀剂膜不易被去除，所以一般会使用具有较强作用的洗涤液。作为具有较强作用的洗涤液，例如硫酸/过氧化氢水/混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixure：SPM)从过去就广为人知。然而，因为废液处理的负担较大等，近年来要求不使用SPM的基板处理方法。

根据日本专利特开2008-153605号公报，公开了使用通过气液混合方法而无添加生成的臭氧水来洗涤基板的基板洗涤方法。此处，该臭氧水所含有的臭氧气泡的粒径R是0＜R≦50nm。此外，公开了在将所生成的臭氧水供给至处理槽之前对其进行加热。作为加热温度，例示有30℃～80℃的范围。根据上述公报，主张以下的第1及第2议题。

第1，通过将粒径抑制于50nm以下，从而臭氧气泡自臭氧水接受到的浮力极小，因此臭氧气泡不易上升至水面。亦即，会稳定地滞留于臭氧水中。稳定地滞留的臭氧气泡因臭氧水与基板碰撞等时的冲击而导致脱气的情形也极少。这些可实现臭氧脱气的有效抑制。

第2，通过将臭氧水的温度提高至用以洗涤的适当的温度，从而可高效地进行洗涤。虽然适当的温度有时会受到被洗涤体的性质、为局部洗涤或全体洗涤的差异、洗涤时间的长短、以及环境等的影响，但大体上优选较高的温度。另一方面，由于臭氧在水温低时容易溶解，因此也存在若对臭氧水进行加热，则容易发生脱气、热分解的事实。对此，因为臭氧水所含有的臭氧气泡的粒径在50nm以下，所以即便因加热而膨胀，接受到的浮力仍会很小。因此，臭氧气泡仍然会滞留于臭氧水中，而不易脱气。推测能够使臭氧水上升至80℃左右是因为该臭氧气泡的粒径足够小。

如上所述，根据上述公报，主张了由于不易脱气而能够得到充分的洗涤效果。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2008-153605号公报

发明内容

发明所要解决的问题

根据本发明人等的研究，上述公报所记载的技术中，在未加热而使用作为处理液的臭氧水的情形时，对基板的作用大多会不足。虽然若提高臭氧浓度则作用也会增强，但通常臭氧水中的臭氧浓度的上限为80ppm左右。因此，为了促进基于臭氧的化学作用，期望加热至某种程度的温度。上述公报的技术中，对作为处理液的臭氧水的加热在处理液被供给至处理槽之前进行。根据本发明人等的研究，在该情形时，难以维持臭氧气泡在处理液中以高浓度分散的状态直至处理液的使用点(POU：Point of Use)。其结果，通过混合微小的臭氧气泡而得到的特有的效果会变小。因此，基于臭氧的处理效果会变弱。

本发明是为了解决以上那样的问题而完成的，其目的在于提供可加强臭氧对基板的作用的基板处理方法。

解决问题的技术手段

第1方式是一种基板处理方法，具备：保持具有第1面及与第1面相反的第2面的基板的步骤；对基板的第2面供给混入了含有臭氧气体的粒径50nm以下的气泡的处理液的步骤；以及在用以进行基板的处理的使用点对处理液进行加热的步骤。需要说明的是，在处理液中除了粒径50nm以下的气泡以外，也可混入粒径超过50nm的气泡。

第2方式是在第1方式的基板处理方法中，保持基板的步骤以基板的第2面朝向下方的方式进行。