[发明专利]光电器件和用于制造光电器件的方法

说明书

在至少一个实施方式中，光电器件（100）包括具有安装表面（10）的载体（1）、光电半导体芯片（2）、介电保护层（31）和封装（32）。介电保护层（31）在芯片贴装区域（11）直接被施加到安装表面（10）上。半导体芯片（2）在芯片贴装区域（11）被施加到介电保护层（31）上并且与载体（1）导电连接。封装（32）在芯片贴装区域（11）旁边的区域直接被施加到安装表面（10）上并且在重叠区域（312）直接被施加到介电保护层（31）上。

技术领域

说明了一种光电器件和一种用于制造光电器件的方法。

发明内容

所要解决的任务在于：说明一种光电器件，其中载体良好地被保护以防腐蚀。另一个所要解决的任务在于：说明一种用于制造这种光电器件的方法。

首先说明该光电器件。

按照至少一个实施方式，该光电器件包括具有安装表面的载体。安装表面形成载体的上侧或者载体的上侧的至少一部分。例如，安装表面是在载体的留空部中的底面。安装表面优选地是平的或者基本上平的。载体是组件或者是使器件稳定的组件。

按照至少一个实施方式，该光电器件包括光电半导体芯片。在正常运行时，半导体芯片优选地发射电磁初级辐射，例如在可见光谱范围内或者在UV范围内或者在红外范围内。该光电器件尤其是LED。该光电器件例如可以在大灯、例如机动车的大灯中使用，或者可以在闪光灯、例如移动电话的闪光灯中使用。

半导体芯片这里以及在下文被理解成可单独处理和可电触点接通的元件。半导体芯片通过晶圆复合体的分割来形成。尤其是，这种半导体芯片的侧面那么例如具有来自晶圆复合体的分割过程的痕迹。半导体芯片优选地包括在晶圆复合体生长的半导体层序列的正好一个初始连贯的区域。半导体芯片的半导体层序列优选地连贯地形成。平行于半导体芯片的主延伸平面测量的半导体芯片的伸展例如比平行于半导体层序列的主延伸平面测量的半导体层序列的伸展大最多5 %或最多10 %或最多20 %。

半导体芯片的半导体层序列例如基于III-V族化合物半导体材料、尤其是基于氮化物半导体材料。半导体层序列包括活性层，在正常运行时，在该活性层中例如产生电磁初级辐射。活性层尤其包括至少一个pn结和/或至少一个以单量子阱、简称SQW为形式或者以多量子阱结构、简称MQW为形式的量子阱结构。

按照至少一个实施方式，该光电器件包括介电保护层以及介电封装。优选地，保护层和/或封装对于初始辐射来说和/或对于在器件中产生的次级辐射来说是透明的或半透明的。保护层例如在任何地方沿着其延伸尺寸都具有在包括5 nm与500 nm之间、优选地在包括5 nm与200 nm之间、特别优选地在包括20 nm与200 nm之间的厚度。层尤其是在其整个延伸尺寸内都具有基本上恒定的厚度，与平均厚度的偏差最多为30 %。

按照至少一个实施方式，保护层在芯片贴装区域直接被施加到安装表面上。优选地，保护层是连贯地并且没有中断地形成。芯片贴装区域小于该安装表面。优选地，载体的芯片贴装区域至少部分地由金属形成。保护层优选地覆盖整个芯片贴装区域。保护层尤其是用于保护下方的载体以防腐蚀。

按照至少一个实施方式，半导体芯片在芯片贴装区域被施加到保护层上并且与载体导电连接。例如，半导体芯片被粘到保护层上。半导体芯片在其平行于安装表面测量的横向尺寸方面优选地小于保护层。优选地，半导体芯片被施加到保护层上，使得在对安装表面的俯视图中观察，保护层在任何地方都在半导体芯片的周围突出。优选地保护层在载体与半导体芯片之间的整个区域内都连贯地并且没有中断地延伸。

半导体芯片与载体导电连接。优选地，半导体芯片能经由载体来电触点接通和通电。优选地，载体在与安装表面相反的背面具有触点或者钎焊区，用于器件的外部电触点接通。