[发明专利]半导体加工用层叠体、半导体加工用粘合带及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体加工用层叠体，其特征在于，其为具有临时固定带和层叠于所述临时固定带上的半导体加工用粘合带的半导体加工用层叠体，

所述临时固定带至少具有粘合剂层，

所述半导体加工用粘合带具有基材和层叠于所述基材的一个面的粘合剂层，所述半导体加工用粘合带以所述半导体加工用粘合带的所述基材与所述临时固定带的所述粘合剂层接触的方式层叠于所述临时固定带上，

所述半导体加工用粘合带和所述临时固定带满足下述式(1)，

2.0×10^-3≤(Fa/Fb)≤6.0×10^-2 (1)

式(1)中，Fa表示将半导体加工用粘合带贴附于铜板并在150℃加热1小时后的180°方向的剥离力，Fb表示将临时固定带贴附于半导体加工用粘合带的基材面并在150℃加热1小时后的180°方向的剥离力。

2.根据权利要求1所述的半导体加工用层叠体，其特征在于，所述半导体加工用粘合带的所述粘合剂层为光固化型粘合剂层。

3.根据权利要求1或2所述的半导体加工用层叠体，其特征在于，所述临时固定带具有基材和层叠于所述基材的一个面的硅酮粘合剂层，所述半导体加工用粘合带的所述基材在与所述粘合剂层相反侧的表面具有易粘接层，所述易粘接层为SiOx层、金属氧化物层、有机金属化合物层、硅酮化合物层或聚合性聚合物层。

4.一种半导体加工用粘合带，其特征在于，其为具有基材和层叠于所述基材的一个面的粘合剂层的半导体加工用粘合带，

满足下述式(2)，

2.0×10^-3≤(Fa/Fb’)≤6.0×10^-2 (2)

式(2)中，Fa表示将半导体加工用粘合带贴附于铜板并在150℃加热1小时后的180°方向的剥离力，Fb’表示将对SUS板的粘接力为7.5N/25mm的临时固定带贴附于半导体加工用粘合带的基材面并在150℃加热1小时后的180°方向的剥离力。

5.根据权利要求4所述的半导体加工用粘合带，其中，所述基材在与所述粘合剂层相反侧的表面具有易粘接层。

6.根据权利要求5所述的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述易粘接层为SiOx层、金属氧化物层、有机金属化合物层、硅酮化合物层或聚合性聚合物层。

7.根据权利要求4、5或6所述的半导体加工用粘合带，其特征在于，其用于半导体封装的屏蔽处理。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，其使用了权利要求4、5、6或7所述的半导体加工用粘合带，对半导体封装进行切割，并且在通过切割而得到的经单片化的半导体封装的背面和侧面形成金属膜，所述半导体装置的制造方法具有：

工序(1)，在半导体封装的电路面贴附所述半导体加工用粘合带；

工序(2)，对贴附有所述半导体加工用粘合带的半导体封装进行切割，得到具有经单片化的半导体封装和经单片化的半导体加工用粘合带的层叠体；

工序(3)，将具有所述经单片化的半导体封装和经单片化的半导体加工用粘合带的层叠体以所述经单片化的半导体加工用粘合带侧进行接触的方式临时固定于临时固定带上；

工序(4)，在所述临时固定带上，在所述经单片化的半导体封装的背面和侧面形成金属膜；

工序(5)，将在背面和侧面形成有金属膜的经单片化的半导体封装从所述经单片化的半导体加工用粘合带剥离并进行拾取。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述工序(1)之后，进行对所述半导体加工用粘合带的所述粘合剂层照射光的工序(6)。