[发明专利]Li离子导体及其制造方法

权利要求书

1.一种Li离子导体，其特征在于，具有包含Li、La、Zr及O的石榴石型复合金属氧化物相(L)，所述Li离子导体在使用CuKα射线的X射线衍射测定中，在2θ＝13.8°±1°及2θ＝15.2°±1°中的至少一处具有衍射峰。

2.根据权利要求1所述的Li离子导体，其具有与所述相(L)不同的含金属相(K)，该相(K)包含卤素元素及Li。

3.根据权利要求1或2所述的Li离子导体，其中，使用CuKα射线的X射线衍射测定中的立方晶Li_6.25Ga_0.25La₃Zr₂O₁₂的衍射峰中，在2θ＝30.5°以上且30.9°以下观察到与2θ＝30.9°相当的衍射峰。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的Li离子导体，其晶格常数超过且为以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的Li离子导体，其中，通过阻抗测定得到的活化能Ea为0.6eV以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的Li离子导体，其中，通过阻抗测定得到的室温下的Li离子电导率σ_total为1.0×10^-7S/cm以上。

7.一种Li离子导体的制造方法，其特征在于，所述Li离子导体具有包含Li、La、Zr及O的石榴石型复合金属氧化物相(L)，

所述制造方法中，使用熔点为600℃以下的共晶混合物将所述石榴石型复合金属氧化物相(L)的界面连接。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，对熔点为600℃以下的共晶混合物与包含Li、La、Zr及O的石榴石型复合金属氧化物的混合物进行成形，将所得成形物在600℃以下进行热处理，由此将所述相(L)的界面连接。

9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其中，所述共晶混合物为2种金属卤化物的共晶混合物。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的制造方法，其中，所述共晶混合物为LiF、ZrCl₄、AlCl₃、NbCl₅或TaCl₅与LiCl的共晶混合物，或者为LiF与TaF₅的共晶混合物。